[發明專利]處理基板的裝置和方法在審
| 申請號: | 201410354064.1 | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104347453A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 張健 | 申請(專利權)人: | PSK有限公司;塞米吉爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陳桂香 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其包含:
負載端口,容納基板的載體設座于該負載端口上;
基板處理模塊,其包含具有處理空間的一個過程腔室或多個過程腔室,在該處理空間中執行關于該基板的回流過程;
清潔單元,其清潔該基板;以及
基板轉移模塊,其安置于該負載端口與該基板處理模塊之間,
其中該基板轉移模塊包含轉移機器人,該轉移機器人在該負載端口、該基板處理模塊與該清潔單元之間轉移該基板。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置,其中該清潔單元包含:
清潔腔室,其提供執行該清潔過程的空間;
基板支撐構件,其安置于該清潔腔室內以支撐該基板;以及
流體供應構件,其將清潔流體噴灑至該基板上。
3.如權利要求2所述的基板處理裝置,其中該基板支撐構件包含真空吸盤,該真空吸盤提供真空壓力以真空吸附該基板。
4.如權利要求3所述的基板處理裝置,其中該清潔單元進一步包含驅動部件,該驅動部件旋轉該真空吸盤。
5.如權利要求2所述的基板處理裝置,其中該流體供應構件包含:
第一流體供應構件,其將用于清潔該基板的第一流體供應至該基板;以及
第二流體供應構件,其將用于干燥該基板的第二流體供應至該基板。
6.如權利要求5所述的基板處理裝置,其中該流體供應構件進一步包含壓力控制部件,該壓力控制部件控制將該第一流體及該第二流體供應至該基板的壓力。
7.如權利要求1至6中任一項所述的基板處理裝置,其中該清潔單元被提供為多個。
8.如權利要求7所述的基板處理裝置,其中該清潔單元安置于該基板處理模塊內,且
該清潔腔室具有與該基板轉移模塊接觸的側表面。
9.如權利要求8所述的基板處理裝置,其中該負載端口、該基板轉移模塊及該基板處理模塊順序地布置在第一方向上,且
該多個清潔單元彼此間隔分開地安置于垂直于該第一方向的第二方向上。
10.如權利要求7所述的基板處理裝置,其中該過程腔室包含:
下部外殼;以及
上部外殼,其安置成面對該下部外殼,
其中該基板處理模塊包含:
旋轉板,其具有固定該基板的一個基板孔或多個基板孔,該旋轉板安置于該上部外殼與該下部外殼之間;
驅動器,其使該旋轉板旋轉;以及
提升構件,其提升該下部外殼以打開或關閉該過程腔室。
11.如權利要求10所述的基板處理裝置,其中所述基板孔以預定距離界定成圓環形狀,且
該旋轉板圍繞所述基板孔的中心旋轉。
12.如權利要求11所述的基板處理裝置,其中當自上側觀察時,該多個過程腔室分別經安置以與該多個基板孔重迭。
13.如權利要求10所述的基板處理裝置,其中該基板處理模塊進一步包含:
過程流體供應構件,其將過程流體供應至該處理空間;
排出構件,其將該處理空間內的流體排出;
支撐構件,其安置于該處理空間內以支撐該基板;以及
加熱器,其加熱該支撐構件。
14.如權利要求12所述的基板處理裝置,其中該基板孔包含第一基板孔至第六基板孔,且該過程腔室包含第一腔室至第五腔室,
其中該基板處理模塊經配置以使得該第一基板孔至該第五基板孔安置成分別對應于該第一過程腔室至該第五過程腔室,且當該旋轉板旋轉且該第六基板孔移動以對應于該第一過程腔室時,該第二基板孔至該第五基板孔移動以分別對應于該第二過程腔室至該第五過程腔室。
15.一種基板處理裝置,其包含:
基板處理模塊,其包含執行關于基板的回流過程的一個回流處理單元或多個回流處理單元;
清潔單元,其清潔該基板;以及
基板轉移模塊,其安置于該負載端口與該基板處理模塊之間,
其中該基板轉移模塊包含轉移機器人,該轉移機器人在該負載端口、該基板處理模塊與該清潔單元之間轉移該基板。
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