[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410354042.5
• 申請日: 2014-05-16
• 公開（公告）號: CN104167454B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔敏鎬;樸鉉定;崔正薰;崔榮鎬
• 申請（專利權(quán)）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0747;H01L31/18
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

包括基區(qū)和摻雜區(qū)的單晶半導(dǎo)體襯底，所述基區(qū)和所述摻雜區(qū)摻雜有第一摻雜劑并且被布置在所述單晶半導(dǎo)體襯底的后表面處；

形成在所述單晶半導(dǎo)體襯底的所述后表面上的摻雜層，所述摻雜層具有第二摻雜劑，所述第二摻雜劑具有與所述第一摻雜劑不同的導(dǎo)電類型，并且所述摻雜層和所述摻雜區(qū)彼此分離以暴露所述基區(qū)的頂表面的一部分；

介于所述摻雜層和所述單晶半導(dǎo)體襯底之間的隧道層；

覆蓋所述摻雜層、所述摻雜區(qū)、所述基區(qū)的所述頂表面的所述一部分和所述隧道層的絕緣層，并且所述絕緣層在所述摻雜層上具有接觸孔；

直接連接到所述摻雜區(qū)的第一電極；以及

穿過所述絕緣層的所述接觸孔并且直接連接到所述摻雜層的第二電極，

其中，所述摻雜層包括微晶結(jié)構(gòu)或多晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，

其中，所述隧道層包括氧化物，

所述摻雜層包括具有多晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，并且

其中，所述第一電極包括多個第一部分和多個第二部分，所述第二部分將所述第一部分彼此連接并且所述第一部分的寬度小于所述第二部分的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述基區(qū)和所述摻雜區(qū)具有相同的導(dǎo)電類型且所述摻雜區(qū)的摻雜劑濃度高于所述基區(qū)的摻雜劑濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述隧道層具有0.5nm至5nm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述基區(qū)和所述摻雜區(qū)是n型且所述摻雜層是p型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述摻雜層的總面積大于所述摻雜區(qū)的總面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其中，所述摻雜區(qū)的總面積與所述單晶半導(dǎo)體襯底的總面積的比例是0.5％至30％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中，所述摻雜區(qū)的總面積與所述單晶半導(dǎo)體襯底的總面積的比例是0.5％至5％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述摻雜層的厚度大于所述隧道層的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其中，所述隧道層的厚度是0.5nm至5.0nm且所述摻雜層的厚度是50nm至250nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述摻雜區(qū)包括連接到所述第一電極的多個第一區(qū)域，且所述多個第一區(qū)域分別具有島狀形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中，所述隧道層包括對應(yīng)于所述多個第一區(qū)域的開口，且所述隧道層除了在所述開口處外在所述摻雜層和所述單晶半導(dǎo)體襯底之間連續(xù)連接以具有整體結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中，所述摻雜層包括對應(yīng)于所述多個第一區(qū)域的開口，且所述摻雜層除了在所述開口處外連續(xù)連接以具有整體結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述摻雜區(qū)包括連接到所述第一電極的多個第一區(qū)域和具有比所述多個第一區(qū)域更小的寬度并連接到所述多個第一區(qū)域的第二區(qū)域；或

所述摻雜區(qū)包括彼此平行的多個分支部分以具有條狀圖案。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中，所述隧道層具有與所述摻雜層相對應(yīng)的形狀。