[發明專利]一種提高直流飽和電抗器性能的裝置及其方法

有效

• 申請號: 201410353026.4
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104078199A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 李曉明
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01F21/02
• 分類號: H01F21/02;H01F27/28;H02P13/00
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 張勇

1.一種提高直流飽和電抗器性能的裝置，其特征是，它包括直流飽和電抗器；所述直流飽和電抗器采用閉環鐵芯，閉環鐵芯至少有兩根截面積相等、均有直流線圈和交流線圈的鐵芯柱；至少有兩個直流線圈分別連接各自的電抗值調控晶閘管，各個電抗值調控晶閘管的控制端均與控制電路連接，控制電路控制各個電抗值調控晶閘管的觸發角大小，通過連續調節各個電抗值調控晶閘管整流量的大小，控制各個與電抗值調控晶閘管連接的直流線圈中直流電流的大小，實現控制直流飽和電抗器電抗值的大小；

交流線圈之間或各交流線圈與中性點間的交流回路中連接至少一個可調電阻，可調電阻由控制電路控制。

2.如權利要求1所述的提高直流飽和電抗器性能的裝置，其特征是，所述可控電阻包含電阻R7，電阻R7的兩端作為可控電阻的兩端，晶閘管D7、晶閘管D8反向并聯后，與電阻R7并聯；壓敏電阻R8與電阻R7并聯；晶閘管D7、晶閘管D8的觸發端連接控制器，控制器與外部控制電路連接，控制可控電阻進行阻值連續調節變化。

3.如權利要求1所述的提高直流飽和電抗器性能的裝置，其特征是，所述直流飽和電抗器為單相直流飽和電抗器，兩根截面積相等、均有直流線圈和交流線圈的鐵芯柱，各自至少有能形成一條不經過對方鐵芯柱的磁通閉環；

所述單相直流飽和電抗器其中一根鐵芯柱上有交流線圈L5和直流線圈L6，另一根鐵芯柱上有交流線圈端子L7和直流線圈L8；所述兩交流線圈的匝數相等；所述兩直流線圈的匝數相等；同時所述兩交流線圈的匝數是相同電壓等級變壓器一次線圈匝數的K/2倍；交流線圈L5同名端與直流線圈L8同名端連接在一起后，作為單相直流飽和電抗器的端子I；交流線圈L7異名端與直流線圈L6異名端連接在一起后，作為單相直流飽和電抗器的端子II；

交流線圈L5異名端依次串聯可控電阻M1，可控電阻M2，然后連接交流線圈L7同名端，可控電阻M1與可控電阻M2之間結點經正向晶閘管D3連接直流線圈L6同名端，可控電阻M1與可控電阻M2之間結點還經正向晶閘管D4連接直流線圈L8異名端；晶閘管D3和晶閘管D4的觸發端子分別連接控制電路，控制電路控制晶閘管D3和晶閘管D4觸發角的大小，實現連續調節單相直流飽和電抗器電抗值的大小；

可控電阻M1與可控電阻M2的控制端子分別連接控制電路。

4.如權利要求1所述的提高直流飽和電抗器性能的裝置，其特征是，所述直流飽和電抗器為單相直流飽和電抗器，兩根截面積相等、均有直流線圈和交流線圈的鐵芯柱，各自至少有能形成一條不經過對方鐵芯柱的磁通閉環；

所述單相直流飽和電抗器其中一根鐵芯柱上有交流線圈L5和直流線圈L6，另一根鐵芯柱上有交流線圈端子L7和直流線圈L8；所述兩交流線圈的匝數相等；所述兩直流線圈的匝數相等；同時所述兩交流線圈的匝數是相同電壓等級變壓器一次線圈匝數的K/2倍；交流線圈L5同名端與直流線圈L8同名端連接在一起后，作為單相直流飽和電抗器的端子I；交流線圈L7異名端與直流線圈L6異名端連接在一起后，作為單相直流飽和電抗器的端子II；

交流線圈L5異名端串聯可控電阻M1，然后連接交流線圈L7同名端，交流線圈L5異名端經正向晶閘管D3連接直流線圈L6同名端，交流線圈L7同名端經正向晶閘管D4連接直流線圈L8異名端；晶閘管D3和晶閘管D4的觸發端子分別連接控制電路，控制電路控制晶閘管D3和晶閘管D4觸發角的大小，實現連續調節單相直流飽和電抗器電抗值的大小；

可控電阻M1的控制端子分別連接控制電路。