[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的平坦化方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410352940.7
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104078346A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 紀(jì)登峰;李儒興
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/3105
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底內(nèi)形成溝槽；

形成半導(dǎo)體材料層，使所述半導(dǎo)體材料層填充所述溝槽且覆蓋于所述襯底上；

在所述溝槽內(nèi)的半導(dǎo)體材料層表面形成第一阻擋層；

以所述第一阻擋層作為停止層，通過第一平坦化工藝去除襯底上的半導(dǎo)體材料層；

去除所述第一阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，在所述溝槽上的半導(dǎo)體材料層表面形成第一阻擋層的步驟包括：

在所述襯底上的半導(dǎo)體材料層表面形成阻擋材料層，所述阻擋材料層覆蓋所述半導(dǎo)體材料層；

去除位于所述襯底上的半導(dǎo)體材料層表面的阻擋材料層，以保留于所述溝槽內(nèi)的半導(dǎo)體材料層表面的阻擋材料層作為所述第一阻擋層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，去除位于所述襯底上的半導(dǎo)體材料層表面的阻擋材料層的步驟包括：

采用第二平坦化工藝去除所述襯底上的半導(dǎo)體材料層表面的阻擋材料層，所述第二平坦化工藝中的阻擋材料層與半導(dǎo)體材料層的去除速率比，大于第一平坦化工藝中的第一阻擋層與半導(dǎo)體材料層的去除速率比。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，所述第一平坦化工藝對所述半導(dǎo)體材料層的去除速率和所述第一阻擋層的去除速率比大于或等于10。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，所述第一平坦化工藝和第二平坦化工藝均為化學(xué)機(jī)械研磨工藝；并且所述第一平坦化工藝中采用的研磨墊硬度小于所述第二平坦化工藝中采用的研磨墊硬度。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度大于或等于100埃。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，所述第一阻擋層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為氧化硅或氮化硅，所述半導(dǎo)體材料層的材料為多晶硅。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，去除所述第一阻擋層的步驟包括：采用濕法刻蝕去除所述第一阻擋層；

若所述第一阻擋層的材料為氧化硅，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕劑為稀釋的氫氟酸溶液；

若所述第一阻擋層的材料為氮化硅，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕劑為磷酸溶液。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的平坦化方法，其特征在于，在所述襯底內(nèi)形成溝槽前，所述半導(dǎo)體器件的平坦化方法還包括：

在所述襯底上形成第二阻擋層；

在所述襯底內(nèi)形成溝槽的步驟包括：

刻蝕所述第二阻擋層和所述襯底，在所述襯底內(nèi)形成所述溝槽。