[發明專利]半導體晶圓的刷洗裝置和刷洗方法有效
| 申請號: | 201410352938.X | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104174601A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發明(設計)人: | 秦海燕;李儒興;石強 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | B08B1/04 | 分類號: | B08B1/04;B08B13/00;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 高靜;駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 刷洗 裝置 方法 | ||
1.一種半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,包括:
清洗架,用于放置半導體晶圓;
旋轉控制裝置,控制半導體晶圓以半導體晶圓的中心為旋轉中心旋轉;
清洗刷,用于刷洗半導體晶圓的待清洗表面,所述清洗刷與半導體晶圓的旋轉中心相接觸,且所述清洗刷的軸線在半導體晶圓上的投影位于非貫穿所述旋轉中心的位置處。
2.如權利要求1所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述清洗刷為圓筒狀,且能夠繞軸向旋轉。
3.如權利要求2所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,圓筒狀清洗刷的兩端延伸至所述待刷洗表面的邊緣外側。
4.如權利要求1所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述清洗刷表面設置有噴水孔,用于在刷洗半導體晶圓的過程中噴射去離子水。
5.如權利要求1所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述半導體晶圓為圓盤形,所述旋轉控制裝置包括至少兩個轉輪;
所述轉輪的側壁與所述半導體晶圓側壁相切,并且所述至少兩個轉輪同向轉動以驅動所述半導體晶圓繞半導體晶圓的中心旋轉。
6.如權利要求5所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述旋轉控制裝置包括兩個轉輪;
所述兩個轉輪的連線與所述清洗刷的軸線平行,且所述兩個轉輪的連線與清洗刷分別位于所述旋轉中心的兩側。
7.如權利要求6所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述清洗刷為圓筒狀,所述清洗刷能夠繞軸向旋轉,且清洗刷繞軸向旋轉對所述半導體晶圓產生的摩擦力朝向所述轉輪。
8.如權利要求1所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述清洗刷與半導體晶圓的接觸面為長條形,且所述長條形的寬度為D2;
所述旋轉中心到所述接觸面長度方向軸線的距離為D1,D1與D2滿足0<D1≤0.5D2的關系。
9.如權利要求1所述的半導體晶圓的刷洗裝置,其特征在于,所述清洗刷與半導體晶圓的接觸面為長條形,且所述長條形的寬度為D2;
所述旋轉中心到所述接觸面長度方向軸線的距離為D1,D1與D2滿足0.25D2≤D1≤0.5D2。
10.一種半導體晶圓的刷洗方法,其特征在于,包括:
提供半導體晶圓,所述半導體晶圓包括待刷洗表面,所述半導體晶圓的中心為旋轉中心;
在半導體晶圓的待刷洗表面上放置清洗刷,使所述清洗刷與旋轉中心相接觸面,且使所述清洗刷軸線在半導體晶圓上的投影位于非貫穿所述旋轉中心的位置處;
使半導體晶圓繞旋轉中心自轉,以通過清洗刷刷洗半導體晶圓的待刷洗表面。
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