[發明專利]T形HE面支節

在審

• 申請號: 201410352921.4
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104091994A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 王清源
• 申請（專利權）人: 成都賽納賽德科技有限公司
• 主分類號: H01P5/12
• 分類號: H01P5/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.T形HE面支節，包括耦合腔（1），端口A（2）、端口B（3）、端口C（4），其特征在于，還包括至少一個一級或兩級或多級的匹配段(11)，該匹配段(11)的一端與耦合腔（1）相連，該匹配段(11)的另一端與端口A（2）或端口B（3）或端口C（4）相連；

所述端口A（2）的中心處的電場方向與水平面垂直，而端口B（3）和端口C（4）的中心處的電場方向在水平面內；

對于與端口A（2）相連的匹配段(11)，存在一條位于水平面內并連接耦合腔（1）中某一點和端口A（2）上另一點的一條線段AX，該與端口A（2）相連的匹配段(11)和端口A（2）在垂直于線段AX的某一平面內的最大深度沿從耦合腔（1）到端口A（2）的方向不變或單調增大；對于與端口B（3）相連的匹配段(11)，存在一條位于水平面內并連接耦合腔（1）中某一點和端口B（3）上另一點的一條線段BY，該與端口B（3）相連的匹配段(11)?和端口B（3）在垂直于線段BY的某一平面內的最大寬度沿從耦合腔（1）到端口B（3）的方向不變或單調變大；對于與端口C（4）相連的匹配段(11)，存在一條位于水平面內并連接耦合腔（1）中某一點和端口C（4）上另一點的一條線段CZ，該與端口C（4）相連的匹配段(11)和端口C（4）在垂直于線段CZ的某一平面內的最大寬度沿從耦合腔（1）到端口C（4）的方向不變或單調變大。

2.根據權利要求1所述的T形HE面支節，其特征在于，所述T形HE面支節內部由空氣介質或其它介質填充；耦合腔（1）與所有匹配段(11)的總和結構為結構Q，結構Q?在三維空間中的最大尺寸小于在無限大的該填充介質中該T形HE面支節中心工作頻率對應的波長的2.5倍。

3.根據權利要求1所述的T形HE面支節，其特征在于，端口A（2）為輸入端，該T形HE面支節的端口A（2）的反射系數在大于30%的相對工作帶寬內低于-15dB。

4.根據權利要求1中所述的T形HE面支節，其特征在于，耦合腔（1）、端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）和所有匹配段(11)的上表面都為同一個平面的一部分。

5.根據權利要求1所述的T形HE面支節，其特征在于，與端口A（2）連接的匹配段(11)為鏡像對稱結構，該匹配段(11)的對稱平面為對稱平面X；該T形HE面支節的所有部分，包括耦合腔（1）、端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）和所有匹配段(11)相對于對稱平面X構成鏡像對稱結構。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的T形HE面支節，其特征在于，所述端口A（2）、端口B（3）、端口C（4）可以分別為矩形波導、圓波導、脊波導、基片集成波導或帶線中的任意一種。

7.根據權利要求6所述的T形HE面支節，其特征在于，端口A（2）的法線方向與端口B（3）或/和端口C（4）的法線方向之間的夾角大于60度并小于120度。

8.根據權利要求6所述的T形HE面支節，其特征在于，耦合腔（1）存在與端口A（2）相對的內側壁A，內側壁A上設置有金屬柱（5）。

9.根據權利要求6所述的T形HE面支節，其特征在于，端口A（2）的法線方向與端口B（3）或/和端口C（4）的法線方向之間的夾角大于150度并小于210度。