[發(fā)明專利]含塵廢氣的回收處理方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410352887.0 | 申請日: | 2014-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN104083957A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳濤 | 申請(專利權(quán))人: | 好科(上海)環(huán)保科技有限公司 |
| 主分類號: | B01D46/04 | 分類號: | B01D46/04;B01D53/18 |
| 代理公司: | 上海脫穎律師事務(wù)所 31259 | 代理人: | 李強(qiáng) |
| 地址: | 201906 上海市寶山區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 廢氣 回收 處理 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種含塵廢氣的回收處理方法,特別適用于光纖預(yù)制棒生產(chǎn)工藝中產(chǎn)生的含塵廢氣的回收處理裝置及處理方法。
背景技術(shù)
光纖預(yù)制棒通常采用PCVD(plasma?chemical?vapor?deposition)——等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、MCVD(modified?chemical?vapor?deposition)——改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積工藝、VAD(vapour?phase?axial?deposition)——?dú)庀噍S向沉積工藝、OVD(Outside?Vapor?Deposition)——外部氣相沉積工藝等進(jìn)行制造。其中,OVD工藝由于具有沉積速率高、預(yù)制棒體積大、原料純度要求較低、生產(chǎn)率高的優(yōu)點,在預(yù)制棒尤其在包層制造中獲得越來越多的關(guān)注和應(yīng)用。
在OVD工藝中,主要原料SiCl4及摻雜劑GeCl4等以氣態(tài)形式由高純氧載帶送入氫氧焰噴燈,使之在氫氧焰中水解,生成石英玻璃微塵SiO2,然后經(jīng)噴燈噴出,沉積于母棒外表面。經(jīng)往復(fù)沉積后,形成一定尺寸的多孔預(yù)制棒。去掉母棒后,再經(jīng)過高溫脫水、燒結(jié),即獲得所需的光纖預(yù)制棒。
由于OVD工藝的沉積率相對較低(約50%左右),故相比于PCVD等工藝,產(chǎn)生的廢氣中粉塵含量較大,一般可以達(dá)到500~1000mg/m3甚至更高。粉塵顆粒較細(xì),一般在幾微米到幾十微米的范圍內(nèi)成正態(tài)分布。又由于OVD工藝中,生成1mol的SiO2,將產(chǎn)生4mol的HCl氣體,因此由于沉積率相對較低,廢氣中的HCl氣體濃度也相對較高,一般可達(dá)5000~10000mg/m3甚至更高。OVD工藝中產(chǎn)生的廢氣是在高溫氫氧焰中分解產(chǎn)生,故廢氣溫度也較高,溫度可達(dá)180~220℃。
目前,對OVD工藝中產(chǎn)生的含塵廢氣的處理方法主要是洗滌處理,也稱濕法處理。即利用水或其它液體對廢氣中有害成分進(jìn)行吸收或溶解。但洗滌處理含塵廢氣存在著很多弊病:除了需要消耗大量的水或其它化學(xué)溶液外,還要對含有粉塵的洗滌液進(jìn)行凈化處理,成本較高,也易引起二次污染。將粉塵與氣體一起洗滌處理,無法實現(xiàn)對粉塵或氣體的回收利用。由于含塵廢氣的溫度較高,對設(shè)備的防腐蝕性能要求很高,需要使用特殊材料(如哈氏合金等),增加了生產(chǎn)成本。洗滌液中的SiO2粉塵,會使循環(huán)管路、泵、噴嘴和填料等發(fā)生堵塞、磨損等狀況。對顆粒較細(xì)的粉塵吸收率不高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的另一目的是提供一種可將含塵廢氣中的粉塵和氣體分離并回收的回收處理方法。
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
含塵廢氣的回收處理方法,其特征在于,首先將含塵廢氣通入氣固分離裝置,通過所述氣固分離裝置將含塵廢氣中的粉塵與氣體分離,并收集粉塵;然后將所述氣固分離裝置排出的廢氣通入氣體吸收裝置,通過所述氣體吸收裝置將含塵廢氣中的氣體吸收。
優(yōu)選地是,所述氣固分離裝置為布袋式氣固分離器。
優(yōu)選地是,采用測壓裝置測量所述氣固分離裝置內(nèi)的壓力;所述測壓裝置包括U型管;所述U型管的一端與所述氣固分離裝置連通,另一端與大氣連通;所述U型管內(nèi)裝有不透光的液體;所述U型管為透光材料制得;所述U型管的一側(cè)設(shè)有發(fā)光裝置,中間設(shè)有一光電轉(zhuǎn)換器;所述U型管一端的液面位置改變時,所述發(fā)光裝置發(fā)出的光照射在光電轉(zhuǎn)換器上強(qiáng)度隨之改變;照射在光電轉(zhuǎn)換器上的光強(qiáng)度不同,光電轉(zhuǎn)化器產(chǎn)生的電流不同。
優(yōu)選地是,所述測壓裝置包括一U型管;所述U型管的一端與所述氣固分離裝置連通,另一端與大氣連通;所述U型管內(nèi)裝有液體;通過測量所述U型管任一側(cè)液管內(nèi)的液面位移計算所述氣固分離裝置內(nèi)的壓力。
優(yōu)選地是,所述U型管為透光材料制得;所述U型管內(nèi)的液體不透光;所述U型管的一側(cè)設(shè)有發(fā)光裝置,另一側(cè)設(shè)有一光電轉(zhuǎn)換器;所述發(fā)光裝置射出的光束透過U型管的無液體填充區(qū)域,照射在光電轉(zhuǎn)換器上,使所述光電轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生電信號,通過所述電信號計算所述氣固分離裝置內(nèi)的壓力。
優(yōu)選地是,采用加熱裝置對所述氣固分離裝置進(jìn)行加熱,使氣固分離裝置內(nèi)部氣氛的溫度不低于指定值。
優(yōu)選地是,所述氣體吸收裝置為列管式降膜吸收器。
優(yōu)選地是,所述氣固分離裝置排出的廢氣通入所述氣體吸收裝置前,先通入降溫裝置進(jìn)行降溫處理。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于好科(上海)環(huán)保科技有限公司,未經(jīng)好科(上海)環(huán)保科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410352887.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





