[發(fā)明專利]一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410352858.4 | 申請日： | 2014-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN104164581A | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 杜正良 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波工程學(xué)院 |
| 主分類號： | C22C1/05 | 分類號： | C22C1/05;C22C1/10;C22C13/00;H01L35/18 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 315016浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低熱 mg sub si 0.2 ge 0.1 sn 0.7 熱電 材料 | ||
1.一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料，其特征在于：通過向Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料中摻雜Ge元素，降低了Mg2Si0.3Sn0.7晶格熱導(dǎo)率，從而提高M(jìn)g2Si0.3Sn0.7基熱電材料的ZT值。
2.一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料的制備方法，其包括以下具體步驟：
1）將包含鎂、鋅、硅和銻的原料試樣按化學(xué)計量Mg2(Si0.2Ge0.1Sn0.7)0.99Sb0.01研磨均勻；
2）將步驟1中的原料試樣放入熱處理爐中進(jìn)行熔煉；
3）取出步驟2中的原料試樣并研磨成粉末，在真空放電等離子燒結(jié)10min，得到10%Ge摻雜的Mg2(Si0.2Ge0.1Sn0.7)0.99Sb0.01塊狀樣品。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料的制備方法，其特征在于：所述的鎂、鍺、錫、硅、銻的純度均為99%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料的制備方法，其特征在于：步驟2中的原料試樣在放入熱處理爐中進(jìn)行熔煉之前其上方覆蓋有氧化硼粉末。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料的制備方法，其特征在于：原料試樣在熱處理爐中的溫度為700oC，時間為10小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低熱導(dǎo)率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基熱電材料的制備方法，其特征在于：原料試樣在真空放電等離子燒結(jié)的壓強(qiáng)為50?MPa，溫度為978?K。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧波工程學(xué)院;，未經(jīng)寧波工程學(xué)院;許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410352858.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
