[發(fā)明專利]鎂硅基硅納米線復(fù)合熱電材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410352839.1 | 申請日: | 2014-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN104103750B | 公開(公告)日: | 2017-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樊文浩;張華;陳少平;李永連;杜子良;孟慶森 | 申請(專利權(quán))人: | 太原理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L35/34 | 分類號: | H01L35/34 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司14101 | 代理人: | 盧茂春 |
| 地址: | 030024 山西*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鎂硅基硅 納米 復(fù)合 熱電 材料 制備 方法 | ||
1.鎂硅基硅納米線復(fù)合熱電材料的制備方法,其特征在于是一種利用硅納米線與Mg2Si熱電材料復(fù)合有效降低基體熱導(dǎo)率,通過摻雜Sb、Bi、La或Ag改善和優(yōu)化Mg2Si基材料熱電性能,同步實現(xiàn)硅納米線剝離和混合避免硅納米線在復(fù)合塊體材料制備中纏繞和團聚,在后期電場輔助燒結(jié)過程中制備出硅納米線分布均勻及其與基體結(jié)合良好的鎂硅基硅納米線復(fù)合熱電材料的方法,該方法是利用AgNO3溶液與HF酸的混合液為刻蝕液,在單晶硅片上常溫刻蝕3h-4h制備出硅納米線,刻蝕后的硅片去銀處理清洗后與純度>99%,粒度≤850μmMg2Si粉體和X為Sb、Bi、La和Ag的元素同時置于水含量<0.03wt.%的無水乙醇溶液中超聲混合,混合后的溶液在真空度>0.09MPa的環(huán)境下烘干處理,將烘干后的粉末進行球磨,為了避免球磨過程中的污染,采用聚四氟乙烯的球磨罐和ZrO2磨球,球磨后的粉末置于石墨模具中采用FAPAS方法燒結(jié)成塊體納米復(fù)合熱材料,具體步驟如下:
1)用量筒和滴管分別量取AgNO3溶液和HF酸,將二者在燒杯中混合均勻配成刻蝕液(1),將雙面拋光單晶硅片(2)置于刻蝕液中,常溫下刻蝕3-4h;
2)刻蝕后的硅片在濃硝酸中去銀處理后用蒸餾水清洗5-10min,將清洗干凈的硅片(3)置于無水乙醇溶液(4)的燒杯中備用,無水乙醇溶液(4)的水含量<0.03wt.%;
3)在真空手套箱中稱取摩爾混合比例為0.96≤x≤0.99的Mg2Si粉體和Bi粉,形成混合粉體(5)并置于溶液(4)中;
4)將盛有溶液(4)的燒杯在超聲波清洗機(6)中超聲振蕩20-25min,然后取出硅片,剩余溶液(7)置于真空環(huán)境中在溫控磁力攪拌器(8)上同時進行磁力攪拌和真空烘干,真空度>0.09MPa,烘干溫度為35℃,時間為120min;
5)將烘干后的粉末置于聚四氟乙烯球磨罐中在行星式球磨機上球磨4h,球料比為8:1,形成粉體(9);
6)將粉體(9)置于石墨模具(10)中,在真空度>10Pa的真空FAPAS爐中經(jīng)15min溫度升至750℃,保溫20min,保溫過程中壓力為60MPa,保溫結(jié)束后,關(guān)閉電流加熱,卸壓,試樣隨爐冷卻。
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H01L35-00 包含有一個不同材料結(jié)點的熱電器件,即顯示出具有或不具有其他熱電效應(yīng)或其他熱磁效應(yīng)的Seebeck效應(yīng)或Peltier 效應(yīng)的熱電器件;專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備;這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點處進行熱交換的方法區(qū)分的





