[發明專利]具有橫向延伸部分的晶體管的嵌入式源極或漏極區

在審

• 申請號: 201410352654.0
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104810292A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 張哲誠;陳建穎;張永融
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/41
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

提供其上配置有柵極結構的體結構；

所述柵極結構包括橫穿所述體結構的柵極側壁；

在所述柵極側壁上方形成間隔件；

在所述體結構中形成第一凹槽，

所述第一凹槽形成在所述間隔件旁邊并且在所述間隔件下面橫向延伸；

在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及

生長晶格常數不同于所述體結構的應力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

提供其上配置有柵極結構的體結構包括：

提供包括鰭結構的所述體結構；以及

形成環繞所述鰭結構的一部分的所述柵極結構。

3.根據權利要求1所述的方法，其中：

在所述體結構中形成第一凹槽包括：

各向同性蝕刻所述體結構，直到達到第一距離和第二距離的范圍內的橫向深度，所述第一距離為所述體結構的頂面的水平面處的所述間隔件的第一側壁和第二側壁之間的距離以及所述第二距離為所述體結構的所述頂面的水平面處的所述間隔件的所述第一側壁和所述柵極側壁之間的距離，

所述間隔件的所述第一側壁比所述間隔件的所述第二側壁更接近所述柵極側壁。

4.根據權利要求3所述的方法，其中：

在所述柵極側壁上方形成間隔件包括：

在所述柵極側壁上形成密封層；以及

在所述密封層上形成所述間隔件。

5.根據權利要求3所述的方法，其中：

在所述柵極側壁上方形成間隔件包括：

在所述柵極側壁上形成所述間隔件。

6.根據權利要求1所述的方法，其中：

在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度，包括：

在所述體結構中蝕刻速率控制摻雜區形成在所述第一凹槽下面并且位于所述至少一個間隔件旁邊；以及

各向異性蝕刻所述體結構，以形成所述凹槽延伸部。

7.根據權利要求1所述的方法，其中：

在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度包括：

各向異性反應離子蝕刻所述體結構，以形成所述凹槽延伸部。

8.根據權利要求1所述的方法，其中：

提供其上配置有柵極結構的體結構包括：

提供包括所述體結構的襯底；以及

在所述體結構之上形成所述柵極結構。

9.一種方法，包括：

提供其上配置有柵極結構的體結構；

所述柵極結構包括橫穿所述體結構的柵極側壁；

在所述柵極側壁上方形成間隔件；

在所述體結構中形成第一凹槽，

所述第一凹槽形成在所述間隔件旁邊，使得暴露由所述體結構覆蓋的所述間隔件的表面；

在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及

生長晶格常數不同于所述體結構的應力源材料，使得延伸的所述第一凹槽被填充。

10.一種半導體結構，包括：

體結構；

柵極結構，配置在所述體結構上，

所述柵極結構包括橫穿所述體結構的柵極側壁；

間隔件，配置在所述柵極側壁上方；以及

源極或漏極區，嵌入所述柵極結構旁邊的所述體結構中，并且包含晶格常數不同于所述體結構的應力源材料，

所述源極或漏極區域包括：

第一區域，在所述間隔件下面橫向延伸，以及

第二區域，被配置在所述第一區域下面并且延伸所述第一區域的垂直深度。