[發明專利]高分子與導電組合物

有效

• 申請號: 201410352537.4
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104371052B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 衛靖燕;黃桂武;符永茜
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C08F112/14
• 分類號: C08F112/14;C08F8/00;C08F8/42;C08F8/20;C08L25/18;C08L65/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 賈靜環

技術領域

本發明涉及導電高分子，更特別涉及其所含的網狀交聯物的結構。

背景技術

銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)在軟性基材上重復觸碰敲擊將產生老化，甚至因彎曲而造成微觀裂縫，因應未來多點軟性觸控技術，在打點壽命及耐彎曲程度不斷提高的發展趨勢下，有必要開發軟性透明導電膜以取代脆性ITO。導電高分子聚3,4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT:PSS)則是替代ITO材料選項之一。目前導電高分子以Heraeus公司為領導廠商，所開發的導電高分子其薄膜面電阻可達成100Ω/sq，透光度為90％。然而在耐化性方面，仍有很大的改善空間。目前改善PEDOT:PSS薄膜的耐化性的方法為添加粘結劑如聚氨酯(PU)或三聚氰胺。然而少量添加粘結劑無法有效增加導電薄膜的耐化性，但大量添加粘結劑又會降低導電薄膜的導電度。

綜上所述，目前亟需新的添加劑改善PEDOT:PSS的耐化性，且不會降低其導電度。

發明內容

本發明一實施例提供的高分子，其結構如下：

其中x的摩爾百分比范圍介于10％～90％，n的摩爾百分比范圍介于10％～90％之間；且m+n＝100％；R¹為-H、-CH₃、-CH₂CH₃、-OCH₃、-O(CH₂)_nCH₃，n＝1～12、-NH₂、-N(CH₃)₂、-N(CH₂)_nCH₃，其中n＝1～12、-Br、-Cl、-OH、-SO₃Na、-SO₃H、或-SO₂Cl；R²為-H、-COOH、-COOCH₃、-COO(CH₂)_nCH₃，其中n＝1～12、-SO₃Na、-SO₃H、-SO₂Cl、-OH、-CONH₂、-CON(CH3)₂、-CON(CH₂)_n(CH₃)₂，其中n＝1～12、-Br、或-Cl；以及R³為-SO₃Na、-SO₃H、-PO₃H、-SO₂Cl、-OH、-H、-COOH、-COOCH₃、-COO(CH₂)_nCH₃，n＝1～12、-CONH₂、-CON(CH3)₂、-CON(CH₂)_n(CH₃)₂，其中n＝1～12、-Br、或-Cl。

本發明一實施例提供的導電組合物(conductive composition)，包括網狀交聯物，由上述的高分子交聯而成；以及聚3,4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)，其中網狀交聯物與聚3,4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸的重量比介于1:0.01至1:0.8之間。

本發明一實施例提供的導電組合物，包括網狀交聯物，由上述的高分子交聯而成，以及聚3,4-乙撐二氧噻吩，其中網狀交聯物與聚3,4-乙撐二氧噻吩的重量比介于1:0.2至1:0.002之間。

附圖說明

圖1示出了本發明一實施例中，導電薄膜的膜片電阻-粘結劑比例的折線圖。

圖2示出了本發明一實施例中，導電薄膜的膜片電阻-粘結劑比例的折線圖。

圖3示出了本發明一實施例中，導電薄膜的膜片電阻-交聯劑比例的折線圖。

具體實施方式

本發明一實施例的高分子，其結構如式1所示。