[發明專利]一種LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法

有效

• 申請號: 201410352076.0
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104086223A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 譚彬;蘭育輝
• 申請（專利權）人: 湖南元素密碼石墨烯研究院（有限合伙）
• 主分類號: C04B41/85
• 分類號: C04B41/85;C04B41/88;H01L33/64
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.?一種LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）抽高真空：選用表面吸附分布密度為5%~90%石墨烯粉體的陶瓷基板作為加工基材，并抽高真空至真空度＞4.0×10E-3Pa；

（2）薄膜沉積：以惰性氣體或反應氣體或二者的混合氣體作為載氣，在真空度為1.0×10E-1Pa以上的工作真空環境下，采用沉積法將至少一種材料薄膜沉積于吸附在陶瓷基板上的石墨烯粉體與陶瓷基板的表面，沉積溫度為25~125℃，沉積時間為1200~5000秒，得到LED用高效散熱陶瓷基板。

2.根據權利要求1所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述石墨烯粉體為單層片或多層片的導電或絕緣石墨烯粉體，所述單層片的導電或絕緣石墨烯粉體的厚度為0.33nm，長度為3um~5um，所述多層片的導電或絕緣石墨烯粉體的厚度為1nm~3nm。

3.根據權利要求1或2所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述沉積法選用磁過濾多弧離子復合鍍膜法、電子回旋共振化學氣相沉積法、高能離子束濺射沉積法、中頻或射頻化學氣相沉積法、金屬有機化合物化學氣相沉積法、單原子層沉積法中的一種或多種沉積方式組合。

4.根據權利要求1或2所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述材料薄膜為SiC、TiAlN、AlN、Ag、Cu、Al、Sn、Au、DLC、GaN、InGaAsP、InAlGaAsP、InP中的一種。

5.根據權利要求3所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述材料薄膜為SiC、TiAlN、AlN、Ag、Cu、Al、Sn、Au、DLC、GaN、InGaAsP、InAlGaAsP、InP中的一種。

6.根據權利要求4所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：所述材料薄膜的沉積厚度為0.1um~2.0um。

7.根據權利要求3所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：采用中頻或射頻化學氣相沉積法將至少一種材料薄膜沉積于吸附在陶瓷基板上的石墨烯粉體與陶瓷基板的表面時，滿足以下條件：射頻功率為500W~700W，加速柵極電壓為250V~400V。

8.根據權利要求3所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：采用高能離子束濺射沉積法將至少一種材料薄膜沉積于吸附在陶瓷基板上的石墨烯粉體與陶瓷基板的表面時，滿足以下條件：離子源射頻功率為600W~800W，離子速加速柵極電壓為250V~400V。

9.根據權利要求1或2所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：步驟（1）中，所述石墨烯粉體的分布密度為50%~80%。

10.根據權利要求1或2所述LED用高效散熱陶瓷基板的制作方法，其特征在于：步驟（2）中，所述沉積溫度為26~45℃，沉積時間為1250~1650秒。