[發明專利]磁記錄介質和磁存儲裝置

有效

• 申請號: 201410351809.9
• 申請日: 2014-07-23
• 公開（公告）號: CN104347086B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 張磊;神邊哲也;村上雄二;丹羽和也
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/73
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

提供一種可降低被包含在磁性層中且具有L10結構的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁記錄介質。該磁記錄介質，具有：基板、形成在該基板上的多個底層、及將具有L10結構的合金作為主要成份磁性層；所述多個底層中的至少1層為含有Mo的結晶質底層；該含有Mo的結晶質底層將Mo作為主要成份，且含有1mol％～20mol％范圍的從Si、C選擇的一種以上的元素、或者1vol％～50vol％范圍的氧化物；該含有Mo的底層和該磁性層之間形成有具有NaCl型結構的障礙層。

技術領域

本發明涉及一種磁記錄介質和磁存儲裝置。

背景技術

近年，對硬盤驅動器HDD的大容量化的要求日益提高。作為滿足該要求的手段，已經提出了用安裝激光光源的磁頭加熱磁記錄介質并進行記錄的熱輔助記錄方式。

在熱輔助記錄中，通過加熱磁記錄介質可大幅度降低保磁力，因此在記錄介質的磁性層可以使用結晶磁氣異方性常數Ku較高的材料。藉此，在維持熱穩定性的同時可進行磁性粒徑的微細化，并可實現1Tbit/inch2級別的面密度。作為高Ku磁性材料，提出了L10型FePt合金、L10型CoPt合金、L11型CoPt合金等的有序合金等。

另外，在磁性層為了隔離(isolate)由上述有序合金所組成的結晶粒，添加作為粒界相材料(grain boundary phase material)的SiO2、TiO2等氧化物或者C、BN等。構成磁性結晶粒由粒界相被分離的粒狀結構，藉此可降低磁性顆粒間的交換結合(耦合)，并可實現較高的介質SN比(Signal-to-Noise ratio)。

非專利文件1中記載有，通過向FePt添加38％的SiO2，可將磁性粒徑降低至5nm的內容。且，同文獻中還記載有，通過將SiO2的添加量增加至50％，可將粒徑降低至2.9nm的內容。

另外，為獲得具有高垂直磁氣異方性的熱輔助磁記錄介質，在磁性層的L10型有序合金中形成良好的(001)配向較好。磁性層的配向可通過底層進行控制，為實現該目的有必要使用適當的底層。

關于底層，例如專利文件1中記載有，通過使用MgO底層的方式，L10型FePt磁性層示出良好的(001)配向的方法。

另外，專利文件2中記載有，通過在具有Cr－Ti－B合金等BBC結構的結晶粒徑控制層上形成作為結晶配向性控制兼低熱傳導中間層的MgO層的方式，L10型FePt磁性層示出更好的(001)配向的方法。

專利文獻3的實施例2.3中公開有作為底層使用Mo－5at％Mo/Cr的例子。

但是，在使用上述熱輔助磁記錄介質的熱輔助磁記憶裝置時，為實現更高的介質SN比，要求在熱輔助磁記錄介質中進行磁性結晶粒的微細化的同時充分地降低磁性結晶粒之間的交換結合。作為實現該目的的方法，如上所述向磁性層添加SiO2或者C等粒界相材料的方法較為有效。

另外，作為新時代的記錄方法引起關注的其他技術有微波輔助磁記錄方式。微波輔助磁記錄方式是，向磁記錄介質的磁性層照射微波使磁化方向從易磁化軸傾斜，使磁性層的局部磁化反轉藉此記錄磁性信息的方式。