[發(fā)明專利]一種測量大晶粒硅鋼織構(gòu)的分析方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410351806.5 | 申請日： | 2014-07-23 |
| 公開（公告）號： | CN104155323A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周順兵;王志奮;吳立新;陳士華;姚中海 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢鋼鐵（集團）公司 |
| 主分類號： | G01N23/203 | 分類號： | G01N23/203;G06F19/00;G06T7/00 |
| 代理公司： | 武漢開元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104 | 代理人： | 王和平;陳懿 |
| 地址： | 430080 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 測量 晶粒 硅鋼 分析 方法 | ||
1.一種測量大晶粒硅鋼織構(gòu)的分析方法，其特征在于：包括以下步驟：
一、將硅鋼板制成電子背散射衍射待測試樣；
二、切取電子背散射衍射待測試樣的待測區(qū)域，依據(jù)晶界區(qū)分該待測區(qū)域內(nèi)各個晶粒；
三、計算出每個晶粒的面積Am，并測量計算出該樣品總待測區(qū)域的面積A總；
四、將該待測試樣做無織構(gòu)化處理，計算出單個晶粒在待測區(qū)域上所占比例A0；
五、每個晶粒中用電子背散射衍射測試其晶粒取向(hkl)并取其絕對值；
六、將測量得的每個晶粒的面積Am除以該樣品總待測區(qū)域的面積A總所得值，再除以A0值，所得數(shù)值即為該晶粒在取向(hkl)的相對極密度的大小P(hkl)；
七、將晶粒在取向(hkl)上的相對極密度的P(hkl)標示在反極圖中相應(yīng)晶面的位置上，即得到電子背散射衍射待測試樣的反極圖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量大晶粒硅鋼織構(gòu)的分析方法，其特征在于：所述步驟三中，采用圖像分析儀測量計算出每個晶粒的面積Am。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測量大晶粒硅鋼織構(gòu)的分析方法，其特征在于：所述步驟六中，如果一個晶粒的取向(hkl)與另一個晶粒的取向(hkl)相同，則這些晶粒在取向(hkl)的相對極密度的大小P(hkl)進行相加后，標示在反極圖中相應(yīng)晶面的同一位置上。
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