[發(fā)明專利]一種上部電極及其制造方法和干法刻蝕設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410350543.6
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN104157681A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 趙吾陽;劉學光;倪水濱
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L21/28
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種上部電極，其特征在于，包括上部電極主體，所述上部電極主體上設置有電極氣體流出孔，所述上部電極主體的表面覆蓋有離子晶體層，所述離子晶體層的表面覆蓋有原子晶體層。

2.根據(jù)權利要求1所述的上部電極，其特征在于，所述原子晶體層為阿爾法型氧化鋁層。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的上部電極，其特征在于，所述離子晶體層的厚度為30-50μm。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的上部電極，其特征在于，所述原子晶體層的厚度為30-40μm。

5.一種干法刻蝕設備，其特征在于，包括權利要求1-4任一所述的上部電極。

6.一種上部電極的制造方法，其特征在于，包括：

在上部電極主體上設置電極氣體流出孔；

在上部電極主體的表面形成離子晶體層；

在離子晶體層的表面形成原子晶體層。

7.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在上部電極主體的表面形成離子晶體層的步驟包括：

通過陽極氧化工藝在所述上部電極主體的表面形成所述離子晶體層。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于，所述通過陽極氧化工藝在所述上部電極主體的表面形成所述離子晶體層的步驟包括：

利用酸液在所述上部電極主體的表面進行陽極氧化工藝，以形成所述離子晶體層。

9.根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在離子晶體層的表面形成原子晶體層的步驟包括：

通過濺射工藝在所述離子晶體層的表面形成所述原子晶體層。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述通過濺射工藝在離子晶體層的表面形成原子晶體層的步驟包括：

對所述離子晶體層的表面進行濺射；

對所述電極氣體流出孔進行濺射，以形成所述原子晶體層。