[發(fā)明專利]鋁薄膜制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410350029.2
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN105304510A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設計）人: 榮延棟;蔣秉軒;盧平元;田立飛;夏威;王厚工;丁培軍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉

1.一種鋁薄膜制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

向工藝腔室中通入第一流量的第一工藝氣體和第二流量的第二工藝氣體，并在第一沉積功率下沉積第一層鋁薄膜；

繼續(xù)向所述工藝腔室中通入第三流量的所述第一工藝氣體和第四流量的所述第二工藝氣體，并在第二沉積功率下沉積第二層鋁薄膜；

其中，所述第一沉積功率小于所述第二沉積功率，所述第一流量大于所述第三流量，所述第一工藝氣體為晶片被吹氣體，所述第二工藝氣體為濺射氣體。

2.根據權利要求1所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述向工藝腔室中通入第一流量的第一工藝氣體和第二流量的第二工藝氣體，并在第一沉積功率下沉積第一層鋁薄膜，包括如下步驟：

步驟S110，向所述工藝腔室中通入所述第一流量的所述第一工藝氣體和所述第二流量的所述第二工藝氣體，并在所述第一沉積功率下沉積所述第一層鋁薄膜第一預設時間；

步驟S120，繼續(xù)向所述工藝腔室中通入所述第一流量的所述第一工藝氣體和所述第二流量的所述第二工藝氣體，并在零功率下冷卻所述第一層鋁薄膜第二預設時間后，返回所述步驟S110，直至所述第一層鋁薄膜的厚度為第一預設厚度。

3.根據權利要求2所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述繼續(xù)向所述工藝腔室中通入第三流量的所述第一工藝氣體和第四流量的所述第二工藝氣體，并在第二沉積功率下沉積第二層鋁薄膜，包括如下步驟：

步驟S210，向所述工藝腔室中通入所述第三流量的所述第一工藝氣體和第四流量的所述第二工藝氣體，并在所述第二沉積功率下沉積所述第二層鋁薄膜第三預設時間；

步驟S220，繼續(xù)向所述工藝腔室中通入第五流量的所述第一工藝氣體和第六流量的所述第二工藝氣體，并在所述零功率下冷卻所述第二層鋁薄膜第四預設時間后，返回所述步驟S210，直至所述第二層鋁薄膜的厚度為第二預設厚度。

4.根據權利要求1至3任一項所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一沉積功率的取值范圍為(0KW，20KW]，所述第二沉積功率的取值范圍為[1KW，20KW]。

5.根據權利要求4所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一沉積功率為8KW，所述第二沉積功率為15KW。

6.根據權利要求5所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一工藝氣體為氬氣，通過設置在吹向晶片背面的第一通氣口通入所述工藝腔室中；

所述第二工藝氣體為氬氣，通過設置在所述工藝腔室的第二通氣口通入所述工藝腔室中。

7.根據權利要求3所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一流量的取值范圍、所述第二流量的取值范圍、所述第三流量的取值范圍、所述第四流量的取值范圍、所述第五流量的取值范圍和所述第六流量的取值范圍均為(0sccm，500sccm]。

8.根據權利要求7所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一流量為20sccm，所述第二流量為5sccm，所述第三流量為5sccm，所述第四流量為5sccm，所述第五流量為20sccm，所述第六流量為5sccm。

9.根據權利要求8所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一預設厚度的取值范圍為[100nm，500nm]。

10.根據權利要求9所述的鋁薄膜制備方法，其特征在于，所述第一預設厚度為200nm。