[發(fā)明專利]新型薄膜晶體管及光電子器件和微電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410349844.7
• 申請日: 2014-07-22
• 公開（公告）號: CN104134700B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅增霞;葉大千;劉利書;梁會力;劉堯平;杜小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L31/113
• 代理公司: 北京智匯東方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11391
• 代理人: 范曉斌,郭海彬

1.一種新型薄膜晶體管，包括：

柵極、源極以及漏極；

襯底；

柵絕緣層；和

布置在所述柵絕緣層上的Mg_xZn_1-xO溝道層，其中0≤x≤1；

其特征在于，還包括：

布置在所述Mg_xZn_1-xO溝道層與所述源極之間的第二絕緣層，所述第二絕緣層由絕緣材料形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述Mg_xZn_1-xO溝道層由未摻雜的Mg_xZn_1-xO材料形成；或者所述Mg_xZn_1-xO溝道層由摻雜的Mg_xZn_1-xO材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述柵絕緣層由Mg_xZn_1-xO薄膜層形成，其中x≥0.5；或者，

所述柵絕緣層由BeO薄膜層和位于所述BeO薄膜層上的Mg_xZn_1-xO薄膜層形成，其中x≥0.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述第二絕緣層的材料與所述柵絕緣層相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述第二絕緣層的材料為氧化物絕緣材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述第二絕緣層的厚度為5-300nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的新型薄膜晶體管，其特征在于，

所述襯底由導(dǎo)電材料形成；可選地，所述導(dǎo)電材料選自ZnO、鈦酸鍶、Si或GaAs。

8.一種光電子器件，包括權(quán)利要求1-7中任一項所述的新型薄膜晶體管；可選地，所述光電子器件為紫外探測器或紫外傳感器。

9.一種微電子器件，包括權(quán)利要求1-7中任一項所述的新型薄膜晶體管；可選地，所述微電子器件為反相器。