[發明專利]一種Cu電極太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201410348419.6 | 申請日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN104124289A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 石強;秦崇德;方結彬;何達能;陳剛 | 申請(專利權)人: | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 溫旭 |
| 地址: | 528100 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cu 電極 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種Cu電極太陽能電池,其特征在于,包括Cu背電極、Al背場、P型硅、N型發射極、鈍化膜、透明導電氧化物薄膜和Cu正電極,所述Cu背電極、Al背場、P型硅、N型發射極、鈍化膜、透明導電氧化物薄膜和Cu正電極依次相連。
2.如權利要求1所述的Cu電極太陽能電池,其特征在于,所述鈍化膜上設有孔或者槽,所述透明導電氧化物薄膜填滿所述孔或者槽,且與所述N型發射極相接觸。
3.如權利要求2所述的Cu電極太陽能電池,其特征在于,所述孔或者槽的面積占所述鈍化膜的面積的3-35%。
4.如權利要求1-3任一項所述的Cu電極太陽能電池,所述透明導電氧化物薄膜為摻錫氧化銦、氧化鋅、摻鋁氧化鋅或摻鉬氧化銦的薄膜,其中,所述摻錫氧化銦中錫的質量含量為1%-15%,所述摻鋁氧化鋅中鋁的質量含量為0.1%-10%,所述摻鉬氧化銦中鉬的質量含量為0.1%-10%;
所述透明導電氧化物薄膜的厚度為8-55nm;
所述透明導電氧化物薄膜的透光率≥92%;
所述透明導電氧化物薄膜的電阻率<10-5Ω.cm。
5.一種制備權利要求1-4任一項所述的Cu電極太陽能電池的方法,其特征在于,包括:
選取P型硅片為基底材料;
對硅片的表面進行刻蝕處理,使硅片的表面形成絨面;
將經過制絨的硅片通過擴散形成N型發射極;
在N型發射極的正面制備鈍化膜;
對鈍化膜的正面進行刻蝕,使鈍化膜形成孔或槽;
在設有孔或槽的鈍化膜上鍍透明導電氧化物薄膜;
在硅片背面印刷形成Cu背電極和Al背電場;
在透明導電氧化物薄膜的正面印刷形成Cu正電極,得到初產品;
將初產品進行燒結,得到成品。
6.如權利要求5所述的Cu電極太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述透明導電氧化物薄膜填滿所述孔或者槽,且與所述N型發射極相接觸。
7.如權利要求6所述的Cu電極太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述孔或者槽的面積占所述鈍化膜的面積的3-35%。
8.如權利要求5-7任一項所述的Cu電極太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述透明導電氧化物薄膜為摻錫氧化銦、氧化鋅、摻鋁氧化鋅或摻鉬氧化銦的薄膜,其中,所述摻錫氧化銦中錫的質量含量為1%-15%,所述摻鋁氧化鋅中鋁的質量含量為0.1%-10%,所述摻鉬氧化銦中鉬的質量含量為0.1%-10%;
所述透明導電氧化物薄膜的厚度為8-55nm;
所述透明導電氧化物薄膜的透光率≥92%;
所述透明導電氧化物薄膜的電阻率<10-5Ω.cm。
9.如權利要求5-7任一項所述的Cu電極太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述絨面的反射率控制在1%-30%;
所述N型發射極的控制方塊電阻為50-120歐/□;
所述鈍化膜的厚度控制在10-70nm;
所述初產品的燒結氣氛為氧氣和氮氣,其中,氧氣和氮氣的體積比為3~15:80。
10.如權利要求5-7任一項所述的Cu電極太陽能電池的制備方法,其特征在于,在將經過制絨的硅片通過擴散形成N型發射極和在N型發射極的正面制備鈍化膜的步驟之間,還包括:?
去除擴散過程形成的磷硅玻璃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





