[發(fā)明專利]金屬Pd納米顆粒陣列的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201410347428.3
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104131260A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設計）人: 胡永明;雷金梅;王釗;顧豪爽
• 申請（專利權）人: 湖北大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/18;C23C14/16;B82Y40/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種金屬Pd納米顆粒陣列的可控制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、選取濺射基片；

(2)、制備鈀連續(xù)薄膜；將基片置于真空磁控濺射設備內，控制濺射室內真空度為10^-4量級時，向濺射室充保護氣體，調節(jié)流量計至保護氣體的流量顯示為10-15sccm；當磁控濺射設備的真空度為1-5Pa時，打開直流濺射總電源使靶逐漸起輝，起輝后調節(jié)閘板閥使抽氣的氣路口變小，抽氣變慢，使磁控濺射設備的真空度為0.5-7Pa,控制功率為30-80W進行濺射，濺射時間為1-5S；

(3)、基片退火，將步驟2得到的鈀連續(xù)薄膜基片在真空度為0.1-1Torr的條件下進行加熱，以4-10℃/min的速率加熱鈀連續(xù)薄膜基片，然后升溫至200-800℃并在此溫度下保持30-90min，即可獲得退火后的鈀納米顆粒陣列。

2.根據權利要求1所述的金屬Pd納米顆粒陣列的可控制備方法，其特征在于，在制備鈀納米顆粒陣列之前，還包括對基片的清洗步驟，包括將基片先后用丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗10-30min，然后在溫度為40-60℃的空氣中烘20-30min。

3.根據權利要求1所述的金屬Pd納米顆粒陣列的可控制備方法，其特征在于，所述基片為硅/二氧化硅拋光氧化片。

4.根據權利要求1所述的金屬Pd納米顆粒陣列的可控制備方法，其特征在于，所述保護氣體為氬氣。

5.根據權利要求1所述的金屬Pd納米顆粒陣列的可控制備方法，其特征在于，步驟3中，將步驟2得到的鈀連續(xù)薄膜基片在真空度為0.1Torr的條件下進行加熱，以4℃/min的速率加熱鈀連續(xù)薄膜基片，然后升溫至350℃并在此溫度下保持60min，即可獲得退火后的鈀納米顆粒陣列。