[發明專利]觸控偵測電路

有效

• 申請號: 201410347162.2
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104102384B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 連崇閔;徐雅玲;林剛毅
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 梁揮,祁建國

技術領域

本發明是有關于一種觸控電路，且特別是有關于一種觸控偵測電路。

背景技術

隨著科技的發展與進步，電子產品的用戶接口也由傳統的按鍵、鍵盤或鼠標逐漸演變為更為人性化的觸控式接口。舉例來說，使用者可利用手指或觸控光筆在光感應式的觸控面板上進行觸控操作。另一方面，在觸控面板中常會利用光偵測電路來感應目前用戶的觸控位置。舉例來說，圖1繪示一種光偵測電路100的示意圖。光偵測電路100可應用于光感應式的觸控面板以偵測觸控面板的觸控點位置。

光偵測電路100包括晶體管Q、電容C以及光偵測晶體管P。觸控面板的掃描線SCAN1可用來控制晶體管Q的開關狀態。光偵測晶體管P在不同強度的光線照射下會產生不同的電流Id。電容C的一端耦接于晶體管Q，另一端則耦接于電源VDD。電容C是用來儲存電流Id所產生的電荷。當晶體管Q開啟時，電容C中儲存的電荷會經由晶體管Q傳送至觸控面板的數據線DATA1。由于電流Id不同，電容C中的電荷量也會不同。因此，光偵測電路100可依據數據線DATA1所接收到的電荷量來判斷觸控面板目前的觸碰情況。

然而，當光偵測晶體管P所偵測到的光強度不足或是感光時間不夠長時，電容C中所儲存的電荷量過少會使得端點VA的電壓不足，導致觸控面板無法判斷觸控點的位置。另一方面，通常會將光偵測晶體管P的閘極G與源極S兩端的電壓差(即Vgs)操作在負偏壓下以控制電流Id，但這容易讓光偵測晶體管P發生劣化的情形。

發明內容

本發明提供一種觸控偵測電路，藉由增加觸控偵測電路的光感應速度以提升觸控面板的光感應敏感度。

本發明的觸控偵測電路包括觸控單元、比較單元以及觸控結果產生單元。觸控單元依據被觸碰狀態以提供偵測信號。比較單元耦接觸控單元并提供參考電流。比較單元并依據偵測信號以及第一參考電壓的電壓差來產生觸控狀態電流。比較單元比較參考電流以及觸控狀態電流來產生比較電壓。觸控結果產生單元耦接比較器并依據比較電壓來提供觸控結果信號。

基于上述，本發明的觸控偵測電路中的比較單元藉由比較觸控單元在不同的觸控狀態下所提供的偵測信號與第一參考電壓兩者的電壓差來產生比較電壓。接著，觸控結果產生單元會依據比較電壓來提供觸控結果信號。如此一來，本發明的觸控偵測電路可藉由分析觸控結果信號來得知觸控面板目前的觸碰狀態并得知觸控面板上觸控點的位置。

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。

附圖說明

圖1繪示一種光偵測電路100的示意圖。

圖2～圖3A、圖4～圖8分別繪示本發明多個實施例的觸控偵測電路的示意圖。

圖3B繪示圖3A觸控偵測電路300的讀出波形示意圖。

其中，附圖標記

100：光偵測電路

200、300、400、500、600、700、800：觸控偵測電路

202、302、402、502、602、702、802：觸控單元

204、304、404、504、604、704、804：比較單元

206、306、406、506、606、706、806：觸控結果產生單元

A、B：曲線

C、CT、CR：電容

DATA1、DATA3：資料線

D1～D3：二極管

F：波形周期

G：閘極

Id：電流

IREF1：參考電流

IT1、IT2：觸控狀態電流

P、P1～P7：光偵測晶體管

S：源極

SCAN1、SCAN3：掃描線

SD1～SD6：偵測信號

ST1、ST2：觸控結果信號

VA、VA1～VA3：端點

VCOMP、VCOMP1、VCOMP2：比較電壓

VREF1、VC2、VC4、T1、T2：參考電壓

VC1、VC3：參考電壓源

VC5：參考電源

VDD：電源

Q、M1～M6、MA、MB1～MB4、MC1～MC2、MD1～MD4、MF、

MN：晶體管

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明技術方案進行詳細的描述，以更進一步了解本發明的目的、方案及功效，但并非作為本發明所附權利要求保護范圍的限制。