[發(fā)明專利]具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410346487.9
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN104175680A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設計）人: 程逵;孫俞;翁文劍;宋晨路;杜丕一;沈鴿;趙高凌;張溪文;徐剛;汪建勛
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B32B33/00
• 分類號: B32B33/00;B32B15/04;B32B17/06;B32B9/04;A61L27/40;A61L27/10;A61L27/02;A61L27/04;A61L27/06;C12N5/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜，其特征在于在基底上從下而上依次有二氧化鈦納米點層和光敏半導體納米點層；二氧化鈦納米點層中二氧化鈦納米點的尺寸為30～300nm，密度為1.0×10¹⁰～1×10¹¹/cm²；光敏半導體納米點層中光敏半導體納米點的尺寸為10～200nm，密度為1.0×10⁹～1.0×10¹²/cm²。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜，其特征在于所述的基底為石英玻璃、硅片、鉭片、鈦片或鈦鎳合金片。

3.根據(jù)權利要求1所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜，其特征在于所述的光敏半導體為氧化鋅、氧化鐵、氧化鋯或氧化錫。

4.制備如權利要求1所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜的方法，其特征在于步驟如下：

1）將鈦源、絡合劑和去離子水按摩爾比1:0.3:1的比例加入到無水乙醇中，然后加入聚乙烯吡咯烷酮在室溫下充分攪拌，配制成鈦原子濃度為0.1-0.5?M、聚乙烯吡咯烷酮濃度為10~100mg/ml的二氧化鈦前驅體溶膠；將二氧化鈦前驅體溶膠滴至清洗凈的基底表面至其鋪滿，并以4000-8000rpm的速度旋涂20-60s，之后將其置于400-600℃下保溫0.5-2h，在基底上得到二氧化鈦納米點層；

2）將光敏半導體源和絡合劑按摩爾比1:0.5~2的比例加入到無水乙醇中，室溫下充分攪拌，配制成光敏半導體源濃度為0.02-0.2M的光敏半導體前驅體溶膠；將光敏半導體前驅體溶膠滴至步驟1）制得的二氧化鈦納米點層上至其鋪滿，并以4000-8000rpm的速度旋涂20-60s，之后將其置于400-600℃下保溫0.5-2h，在基底上得到具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜。

5.根據(jù)權利要求4所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜的制備方法，其特征在于所述的絡合劑為乙酰丙酮或乙醇胺。

6.根據(jù)權利要求4所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜的制備方法，其特征在于所述的鈦源為鈦酸四丁酯、四氯化鈦、三氯化鈦、氟化鈦或硫酸鈦。

7.根據(jù)權利要求4所述的具有分級納米點結構的二氧化鈦基復合薄膜的制備方法，其特征在于所述的光敏半導體源選自硝酸鋅、醋酸鋅、硝酸鐵、醋酸鐵、硝酸鋯或氯化錫。