[發明專利]提高可靠性的微凸點結構及制作方法

有效

• 申請號: 201410346165.4
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN104091793A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 何洪文;孫鵬;曹立強
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;劉海

1.一種提高可靠性的微凸點結構，包括半導體基體（1），在半導體基體（1）正面設有鈍化層（4），在鈍化層（4）中設置微凸點結構（2）；所述微凸點結構（2）包括設置于半導體基板（1）表面的焊盤（3）、設置于焊盤（3）表面的種子層（5）和設置于種子層（5）上的微凸點（6）；其特征是：在所述微凸點結構（2）的外周設置刻蝕槽，刻蝕槽位于鈍化層（4）上，刻蝕槽由鈍化層（4）的上表面延伸至半導體基板（1）的表面。

2.如權利要求1所述的提高可靠性的微凸點結構，其特征是：所述刻蝕槽為圍繞微凸點結構（2）的圓環形刻蝕槽，或者為多個分布于微凸點結構（2）周圍的圓柱形刻蝕槽。

3.如權利要求1所述的提高可靠性的微凸點結構，其特征是：在所述微凸點結構（2）中，焊盤（3）位于鈍化層（4）中，種子層（5）覆蓋鈍化層（4）。

4.一種提高可靠性的微凸點結構的制作方法，其特征是，采用以下工藝步驟：

（1）在半導體基板（1）制作焊盤（3）；

（2）在半導體基板（1）及焊盤（3）正面制作鈍化層（4），鈍化層厚度為5～20μm；

（3）在鈍化層（4）上刻蝕形成開窗，開窗的位置與焊盤（3）一一對應，開窗由鈍化層（4）的上表面延伸至焊盤（3）的上表面；

（4）在鈍化層（4）上表面制作種子層（5），種子層（5）覆蓋住鈍化層（4）和焊盤（3）暴露的表面，種子層（5）厚度為100nm～300nm；

（5）在種子層（4）上涂覆一層光刻膠，光刻膠厚度為15μm～100μm；

（6）在光刻膠上制作圖形開口，并將焊盤（3）上方的光刻膠去除；同時，將焊盤（3）周圍的光刻膠、種子層（5）和鈍化層（4）去除，露出半導體基板（1）的表面，在焊盤（3）的外圍形成圓環形的刻蝕槽或者多個分布于焊盤（3）周圍的圓形刻蝕槽；

（7）在焊盤（3）上制作凸點，對凸點進行回流焊工藝，形成微凸點（6）；同時，去除光刻膠和多余的種子層。

5.如權利要求4所述的提高可靠性的微凸點結構的制作方法，其特征是：所述焊盤（3）的材質為銅。

6.如權利要求4所述的提高可靠性的微凸點結構的制作方法，其特征是：所述鈍化層（4）的材質為PI。

7.如權利要求4所述的提高可靠性的微凸點結構的制作方法，其特征是：所述種子層（5）的材質為銅。

8.如權利要求4所述的提高可靠性的微凸點結構的制作方法，其特征是：所述微凸點（6）的材質為Sn。