[發明專利]用于背接觸太陽能組件的集成背板及其制備方法無效
| 申請號： | 201410345982.8 | 申請日： | 2014-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN104064614A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發明（設計）人： | 孫嵩泉;王楊陽;李晨;張鳳鳴;路忠林 | 申請（專利權）人： | 普樂新能源（蚌埠）有限公司;南京日托光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/049 | 分類號： | H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102 | 代理人： | 張建宏 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 接觸 太陽能 組件 集成 背板 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.用于背接觸太陽能組件的集成背板，它自下而上包括基板、芯板和絕緣層，其特征在于：所述絕緣層上開有若干沿其厚度方向貫通的孔，絕緣層自下而上包括第一粘接層、強化層、第二粘接層；所述強化層的材料選自無紡布、石英纖維或竹纖維。
2.如權利要求1所述的用于背接觸太陽能組件的集成背板，其特征在于：所述芯板自下而上包括支撐層、金屬箔層、非銀基合金納米膜層和納米過渡膜層。
3.如權利要求2所述的用于背接觸太陽能組件的集成背板的制備方法，包括以下步驟：
（1）采用加熱加壓的方法將支撐層和金屬箔層復合到一起；
（2）采用高能量磁控反濺射的方法處理金屬箔層；
（3）在金屬箔層表面沉積非銀基合金納米膜層，在非銀基合金納米膜層表面沉積納米過渡膜層；
（4）對納米過渡膜層、非銀基合金納米膜層和金屬箔層進行電路圖的蝕刻后即得所述芯板；
（5）采用加熱加壓的方法將基板、芯板、第一粘接層、強化層和第二粘接層復合到一起；
（6）在第一粘接層、強化層和第二粘接層上打孔。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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