[發明專利]一種鍺的化學機械拋光方法

有效

• 申請號: 201410345960.1
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN105261550B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 楊濤;劉金彪;賀曉彬;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙)11370
• 代理人: 朱海波

1.一種鍺的化學機械拋光方法，該方法包括以下步驟：

a.提供待拋光的晶圓，該晶圓具有生長完成的鍺溝槽，鍺溝槽之間為測量隔離區；

b.確認鍺溝槽與測量隔離區齊平的最低圖形密度ρ；

c.遮蔽在晶圓上圖形密度小于ρ的鍺溝槽，并暴露圖形密度大于或等于ρ的鍺溝槽；

d.對暴露的區域進行離子注入處理；

e.除去對晶圓的遮蔽；

f.對所述晶圓進行化學機械拋光。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟b中，確認最低圖形密度ρ的方法為物理裂片分析。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟c包括：

c1.制備光刻版，該光刻版可實現對圖形密度大于等于ρ的區域的光刻；

c2.在所述晶圓上涂覆光刻膠，并采用c1中形成的光刻版進行顯影，去除晶圓上大于最低圖形密度區域上的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，離子注入深度等于或小于鍺溝槽高于測量隔離區的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，所述離子注入處理采用的離子種類包括C,H,B,BF₂,In,P,As,Sb,Ge,Si,F中的一種或其組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，所述離子注入處理的能量為1KeV～1000KeV。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟d中，所述離子注入處理的注入劑量為1×10¹⁰～1×10¹⁶cm^-2。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟f中，所使用的拋光液為酸性或堿性SiO₂基拋光液以及酸性或堿性Al₂O₃基拋光液。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟f中，所使用的拋光墊為硬拋光墊、軟拋光墊。