[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410345745.1
• 申請(qǐng)日: 2014-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN105336724B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊蕓;李紹彬;王成誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/52
• 分類號(hào): H01L23/52
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：源線；字線，與源線平行設(shè)置；字線接觸孔結(jié)構(gòu)，與字線垂直相交設(shè)置，且字線接觸孔結(jié)構(gòu)與字線相交形成的接觸面靠近字線上遠(yuǎn)離源線的一側(cè)邊緣設(shè)置。該半導(dǎo)體器件中，通過將字線接觸孔結(jié)構(gòu)與字線相交形成的接觸面靠近字線上遠(yuǎn)離源線的一側(cè)邊緣設(shè)置，從而增加了字線接觸孔與源線之間的距離，并減小了字線接觸孔結(jié)構(gòu)和源線之間的寄生電容，進(jìn)而提高了半導(dǎo)體器件的擊穿電壓。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件中，源線(SL)與字線接觸孔(WLCT)之間的距離很小，使得源線與字線接觸孔之間產(chǎn)生較大的寄生電容，導(dǎo)致字線與源線之間容易被擊穿而產(chǎn)生短路，進(jìn)而降低半導(dǎo)體器件的性能。例如在存儲(chǔ)器件中，由于源線與字線接觸孔之間距離的很小，使得存儲(chǔ)器件很容易被擊穿，進(jìn)而使得存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)性能發(fā)生失效。

圖1示出了一種現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該半導(dǎo)體器件包括源線10′、字線20′、位線40′、字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′以及位線接觸孔結(jié)構(gòu)50′。其中字線20′與源線10′平行設(shè)置，字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′與字線20′垂直設(shè)置，且字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′與字線20′相交形成的接觸面位于字線20′的正中心。同時(shí)，位線40′垂直于字線20′和字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′設(shè)置，位線接觸孔結(jié)構(gòu)50′與字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′平行設(shè)置。

上述半導(dǎo)體器件還包括晶體管，其中晶體管的柵極與字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′相連，晶體管的源極與源線10′相連，形成如圖2所示的剖面結(jié)構(gòu)。如圖2所示，字線接觸孔結(jié)構(gòu)30′和源線10′之間由介質(zhì)層隔離開來。隨著半導(dǎo)體集成電路的集成度日益增加，半導(dǎo)體器件中源線與字線接觸孔之間的距離也隨著縮小，介質(zhì)層的厚度也逐漸減小，使得字線接觸孔結(jié)構(gòu)和源線之間的寄生電容逐漸增大，從而使得半導(dǎo)體器件的耐擊穿性能下降。因此，如何在不影響半導(dǎo)體器件的性能的情況下提高源線與字線接觸孔之間的擊穿電壓，成為半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和制作領(lǐng)域中急需解決的難點(diǎn)之一。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)旨在提供一種半導(dǎo)體器件，以提高半導(dǎo)體器件中源線與字線接觸孔之間的擊穿電壓。

為了解決上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：源線；字線，與源線平行設(shè)置；字線接觸孔結(jié)構(gòu)，與字線垂直相交設(shè)置，且字線接觸孔結(jié)構(gòu)與字線相交形成的接觸面靠近字線上遠(yuǎn)離源線的一側(cè)邊緣設(shè)置。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，接觸面包括靠近源線的第一側(cè)邊和遠(yuǎn)離源線的第二側(cè)邊，字線包括靠近源線的第一邊緣和遠(yuǎn)離源線的第二邊緣，第二側(cè)邊和第二邊緣之間的距離與第一側(cè)邊和第一邊緣之間的距離的比值為0～3/4。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊之間的距離為第一邊緣和第二邊緣之間的距離的1/4～1/2。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，接觸面為長(zhǎng)方形。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元包括：一個(gè)源線；兩個(gè)字線，對(duì)稱地設(shè)置于源線的兩側(cè)；兩組字線接觸孔結(jié)構(gòu)單元，對(duì)稱地設(shè)置于源線的兩側(cè)，且分別與所對(duì)應(yīng)的字線相連。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，結(jié)構(gòu)單元中，每組字線接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括一個(gè)或多個(gè)字線接觸孔結(jié)構(gòu)；當(dāng)每組字線接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括多個(gè)字線接觸孔結(jié)構(gòu)時(shí)，相鄰的字線接觸孔結(jié)構(gòu)之間的距離相同。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體器件還包括：位線，同時(shí)垂直于字線和字線接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置；位線接觸孔結(jié)構(gòu)，與字線接觸孔結(jié)構(gòu)平行，且位線接觸孔結(jié)構(gòu)的一端與相鄰結(jié)構(gòu)單元之間的位線相連。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體器件還包括晶體管，晶體管的柵極與字線接觸孔結(jié)構(gòu)相連，晶體管的源極與源線相連，晶體管的漏極與位線接觸孔結(jié)構(gòu)相連。

進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體器件中，半導(dǎo)體器件為存儲(chǔ)器件。