[發明專利]一種半導體深孔刻蝕后的工藝監控方法

在審

• 申請號: 201410345705.7
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN105304514A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發明（設計）人: 楊濤;李亭亭;洪培真;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種半導體深孔刻蝕后的工藝監控方法，包括以下步驟：

a.提供具有預定形狀和尺寸的測試結構；

b.測量所述測試結構的質量，得到容差范圍；

c.測量待監控晶圓的質量，并與所述容差范圍進行比較，若待監控晶圓的質量值在容差范圍內，則認為深孔的刻蝕深度已經達到要求；若不在容差范圍內，則深孔的刻蝕深度沒有達到工藝要求，需要對刻蝕工藝條件進行調整。

2.根據權利要求1所述的工藝監控方法，其中在步驟b前包括步驟b1：對于給定型號的晶圓，通過掃描電子顯微鏡進行分析，確定晶圓硅深孔刻蝕后深度范圍是否達到工藝要求，若達到工藝要求，則進行步驟b。

3.根據權利要求1所述的工藝監控方法，所述步驟b的具體方法為:對于給定型號的晶圓，測量多批次該晶圓深孔刻蝕完成后的質量，得到深孔刻蝕完成后的質量的變化范圍，并根據測量結果定義晶圓在深孔刻蝕后質量的量測目標及容差范圍。

4.一種半導體深孔刻蝕后的工藝監控方法，包括以下步驟：

a.提供具有預定形狀和尺寸的測試結構；

b.測量所述測試結構在深孔刻蝕完成前后的質量差，得到容差范圍；

c.測量待監控晶圓刻蝕前后的質量差與所述容差范圍進行比較，若待監控晶圓刻蝕前后的質量差在容差范圍內，則認為深孔的刻蝕深度已經達到要求；若不在容差范圍內，則深孔的刻蝕深度沒有達到工藝要求，需要對刻蝕工藝條件進行調整。

5.根據權利要求4所述的工藝監控方法，其中，其中在步驟b前包括步驟b1：對于給定型號的晶圓，通過掃描電子顯微鏡進行分析，確定晶圓硅深孔刻蝕后深度范圍是否達到工藝要求，若達到工藝要求，則進行步驟b。

6.根據權利要求4所述的工藝監控方法，其中，對于給定的晶圓，所述測試結構在深孔刻蝕完成前后的質量差的測量方法為：

d1.在深孔刻蝕前，測量晶圓質量，得到晶圓質量前值；

d2.在深孔刻蝕后，測量晶圓質量，得到晶圓質量后值；

d3.通過質量量測設備自動計算出質量差值。

7.根據權利要求4所述的工藝監控方法，在所述步驟b中，對于給定型號的晶圓，測量多批次該晶圓深孔刻蝕完成后的質量差，得到深孔刻蝕完成后的質量差的變化范圍，并根據測量結果定義晶圓在深孔刻蝕后質量的量測目標及容差范圍。