[發明專利]一種電控光閥被動式發光器件及其制備工藝

有效

• 申請號: 201410345527.8
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN104143532B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 寧洪龍;王磊;蘭林鋒;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司44245
• 代理人: 陳文姬

1.一種電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，通過如下步驟制備而成：

(1)預先將碳納米管或者石墨烯混合于固體電解質中形成基料，將基料沉積于玻璃襯底上形成碳納米管薄膜或者石墨烯薄膜并進行圖形化，形成電控光閥層；

(2)在電控光閥層上沉積絕緣膜層，并對所述絕緣膜層進行圖形化使部分電控光閥層露出；

(3)在所述絕緣膜層上沉積TFT管，所述TFT管的源漏電極與步驟(2)中露出的電控光閥層連接；

(4)在所述TFT管上沉積透明絕緣填充層，使透明絕緣填充層覆蓋于所述TFT管及TFT管未覆蓋的絕緣膜層上方；

(5)在所述透明絕緣填充層上沉積透明公用電極；

(6)在透明公用電極上制備背光模組。

2.根據權利要求1所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，步驟(1)中所述的碳納米管為單壁、雙壁或者多壁碳納米管。

3.根據權利要求1所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，步驟(3)中所述的TFT管為自對準頂柵型TFT管，自下而上依次為源漏電極層、有源層、柵極絕緣層和柵極。

4.根據權利要求3所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，所述TFT管為金屬氧化物TFT管或者低溫多晶硅TFT管或者非晶硅TFT管或者微晶硅TFT管。

5.根據權利要求4所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，所述TFT管為不透明材質，碳納米管薄膜或者石墨烯薄膜的面積占整個像素面積的40％～70％。

6.根據權利要求4所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，所述TFT管為透明材質，碳納米管薄膜或者石墨烯薄膜的面積占整個像素面積的70％～95％。

7.根據權利要求1所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，步驟(6)中制備的背光模組為時序式結構，由反射層及多層背光材料層構成，多層背光材料層設于所述透明公用電極上方，所述反射層設置于所述多層背光材料層上方。

8.根據權利要求7所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，所述背光層材料為透明材料。

9.根據權利要求7所述的電控光閥被動式發光器件的制備工藝，其特征在于，所述步驟(2)中的絕緣膜層為氧化硅或者氧化鋁絕緣膜層。

10.一種電控光閥被動式發光器件，其特征在于，由權利要求1～9任一項所述的制備工藝制備而成。