[發明專利]基于PbSe量子點多波長近紅外LED的制備方法

有效

• 申請號: 201410345455.7
• 申請日: 2014-07-19
• 公開（公告）號: CN104091864B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 張宇;王鶴林;閆龍;于偉泳;王一丁;張鐵強;王國光
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;G01N21/3504;G01N21/359
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司22201
• 代理人: 朱世林,王壽珍

1.基于PbSe量子點多波長近紅外LED的制備方法，其特征在于，作為氣體檢測光源，基于PbSe量子點的近紅外LED制備方法如下：

第一步、計算PbSe量子點的尺寸：選取900nm～1600nm波長范圍內的一種或多種波長作為多波長近紅外LED的發射波長，應用公式1計算出PbSe量子點的尺寸，其中λ為多波長近紅外LED的發射波長，單位nm，D為PbSe量子點的尺寸，單位nm，選擇的波長及波長數量依據實際要求決定；

D=λ-143.75281.25]]>????????公式1

第二步、制備PbSe量子點：根據第一步的計算結果，制備出與之對應尺寸及數量的PbSe量子點，將制備好的PbSe量子點進行校準，使其與被測氣體吸收光譜相一致；

第三步、制備PbSe量子點與無影膠即UV膠的混合溶液：將制備好的PbSe量子點分別溶解到氯仿溶液中，分別將溶解后的PbSe和氯仿混合溶液與UV膠相混合，通過渦旋混合和超聲處理后，使其變為均勻混合物，并在真空室中除去混合物中的氯仿；

第四步、沉積混合溶液，制備多波長近紅外LED(1)：將第三步得到的混合溶液，依據混合溶液中PbSe量子點由大尺寸至小尺寸的原則依次進行沉積，使用氮化鎵即GaN芯片作為激發光源，將制備最大尺寸的PbSe量子點與UV膠混合溶液沉積在GaN芯片表面作為第一層，根據實際需要將其拋光為適當的厚度；然后將尺寸為第二的PbSe量子點與UV膠混合溶液沉積在作為第一層PbSe量子點層上，根據實際需要將其拋光為適當的厚度；上述過程可根據具體需要重復操作，完成多波長近紅外LED(1)的制備。

2.基于PbSe量子點多波長近紅外LED的氣體檢測方法，其特征在于，基于PbSe量子點多波長近紅外LED的氣體檢測方法為：

第一步、制備近紅外多波長LED(1)；

第二步、將所要檢測的氣體填充進氣室(3)中；

第三步、檢測光源即近紅外多波長LED(1)接通電源后發出光線，透過凸透鏡(2)后，通過氣室(3)的平行光束透過凸透鏡(4)由紅外光譜儀(5)接收；

第四步、對被測氣體進行標定：分別將實驗室中已知濃度的氣體樣品放入到檢測系統中進行測試，首先將一種樣品氣體放入到氣室(3)中，選取多組濃度進行檢測，將檢測輸出的濃度信號進行數值擬合，得出該種樣品氣體的濃度公式；再將另一種樣品氣體入到氣室(3)中，選取多組濃度進行檢測，將檢測輸出的濃度信號進行數值擬合，得出第二種樣品氣體的濃度公式；依次實現對不同氣體的標定；

第五步、利用上述標定后的系統，對被測氣體濃度進行檢測，實現氣體濃度的測量。