[發(fā)明專利]一種氧化鋅薄膜晶體管的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410345212.3
• 申請(qǐng)日: 2014-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN104112671A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓德棟;黃伶靈;陳卓發(fā);叢瑛瑛;趙楠楠;吳靜;趙飛龍;董俊辰;王漪;劉力鋒;張盛東;劉曉彥;康晉鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/34
• 分類號(hào): H01L21/34;H01L21/203
• 代理公司: 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：

1)在玻璃或者塑料襯底上淀積一層透明導(dǎo)電薄膜材料，光刻、刻蝕出柵電極；

2)接著生長(zhǎng)一層絕緣材料作柵介質(zhì)層，光刻、刻蝕出柵介質(zhì)；

3)然后利用濺射工藝生長(zhǎng)一層氧化鋅半導(dǎo)體材料層，濺射使用的靶材為摻鎳的氧化鋅陶瓷靶，鎳的含量為2％-10％，濺射過(guò)程中控制氧氣分壓為2-20％，光刻、刻蝕出半導(dǎo)體溝道結(jié)構(gòu)；

4)再淀積一層透明導(dǎo)電薄膜材料，光刻、刻蝕出源、漏電極；

5)接著生長(zhǎng)一層鈍化介質(zhì)層，光刻、刻蝕形成柵、源和漏的引出孔；

6)最后生長(zhǎng)一層金屬薄膜，光刻、刻蝕形成金屬電極和互連。

2.如權(quán)利要求1所述薄膜晶體管的制備方法，其特征是，步驟1)具體為，采用濺射技術(shù)生長(zhǎng)一層ITO、AZO或GZO透明導(dǎo)電薄膜材料。

3.如權(quán)利要求1所述薄膜晶體管的制備方法，其特征是，步驟2)具體為，利用PECVD在80-200攝氏度溫度下生長(zhǎng)一層二氧化硅或者氮化硅或者采用ALD生長(zhǎng)一層氧化鉿、氧化鋁或者氧化鋯絕緣材料。

4.如權(quán)利要求1所述薄膜晶體管的制備方法，其特征是，步驟4)具體為，淀積一層ITO、AZO或GZO透明導(dǎo)電薄膜材料。