[發(fā)明專(zhuān)利]等離子體刻蝕裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410345048.6
• 申請(qǐng)日: 2014-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105336561B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊俊;李俊良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種等離子體刻蝕裝置，用于原位執(zhí)行深溝槽圖形刻蝕制程和無(wú)圖形刻蝕制程，其特征在于，該等離子體刻蝕裝置包括：

反應(yīng)腔室，其具有：

用于夾持待處理基片的靜電夾盤(pán)；

可移動(dòng)的環(huán)狀遮蔽部件，設(shè)于所述基片外周側(cè)并位于所述基片的上方；

驅(qū)動(dòng)單元，用于驅(qū)動(dòng)所述環(huán)狀遮蔽部件在垂直方向上移動(dòng)；以及

控制單元，與所述驅(qū)動(dòng)單元相連，其在待進(jìn)行所述深溝槽圖形刻蝕制程時(shí)控制所述驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)所述環(huán)狀遮蔽部件定位于遠(yuǎn)離所述基片的第一位置，在待進(jìn)行所述無(wú)圖形刻蝕制程時(shí)控制所述驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)所述環(huán)狀遮蔽部件定位于鄰近所述基片的第二位置；

其中所述環(huán)狀遮蔽部件為遮蔽環(huán)或氣體導(dǎo)向環(huán)；

當(dāng)所述環(huán)狀遮蔽部件為遮蔽環(huán)、所述遮蔽環(huán)定位于所述第一位置時(shí)，其下表面與所述基片上表面的距離為15～30mm；當(dāng)所述環(huán)狀遮蔽部件為氣體導(dǎo)向環(huán)、所述氣體導(dǎo)向環(huán)定位于所述第一位置時(shí)，其下表面與所述基片上表面的距離為30～60mm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室還包括環(huán)繞所述基片的聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)位于環(huán)狀遮蔽部件下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔室還包括環(huán)繞所述聚焦環(huán)的覆蓋環(huán)，所述覆蓋環(huán)位于所述環(huán)狀遮蔽部件下方且其上表面與所述聚焦環(huán)的上表面平齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述遮蔽環(huán)的內(nèi)周面為自上向下徑向向外延伸的錐形面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述氣體導(dǎo)向環(huán)的截面形狀為矩形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述環(huán)狀遮蔽部件定位于所述第二位置時(shí)，其下表面與所述基片上表面的距離為1～2mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述環(huán)狀遮蔽部件在水平方向上自所述基片的邊緣徑向向內(nèi)延伸-5mm～5mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述聚焦環(huán)和所述覆蓋環(huán)的上表面突出于所述基片的上表面1～2mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述環(huán)狀遮蔽部件定位于所述第二位置時(shí)，其下表面貼合于所述聚焦環(huán)和所述覆蓋環(huán)的上表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述遮蔽環(huán)的材料選自石英或陶瓷，所述氣體導(dǎo)向環(huán)的材料選自鋁。

11.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的等離子體刻蝕裝置的刻蝕方法，所述刻蝕方法包括原位執(zhí)行深溝槽圖形刻蝕制程和無(wú)圖形刻蝕制程，其包括以下步驟：

將所述環(huán)狀遮蔽部件定位至所述第一位置；

進(jìn)行所述深溝槽圖形刻蝕制程；

將所述環(huán)狀遮蔽部件定位至所述第二位置；以及

進(jìn)行所述無(wú)圖形刻蝕制程。