[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410344399.5
• 申請日: 2014-07-18
• 公開（公告）號: CN105304602A
• 公開（公告）日: 2016-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何政霖;蘇洹漳;李志成
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一介電層，所述第一介電層具有多個開口；

多個接墊，每一所述多個接墊分別位于每一所述多個開口中，且所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面，所述第一表面的面積小于所述第二表面的面積，

所述多個開口顯露所述第二表面；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述第一介電層上并延伸到所述多個開口中以接觸所述多個接墊的第一表面；以及

第二介電層，所述第二介電層包覆且顯露部分所述圖案化金屬層。

2.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

多個接墊，所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面，所述第一表面的面積小于所述第二表面的面積；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述多個接墊上方且部分所述圖案化金屬層接觸所述多個接墊的第一表面；以及

介電層，所述介電層包覆所述圖案化金屬層以及所述多個接墊，且所述介電層顯露部分所述圖案化金屬層以及所述多個接墊的第二表面。

3.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一介電層，所述第一介電層具有多個開口、上表面以及相對于所述上表面的下表面；

多個接墊，每一所述多個接墊分別位于每一所述多個開口中，且每一所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面，所述多個接墊的第一表面與所述第一介電層的下表面間的距離相同，所述多個開口顯露所述第二表面；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述第一介電層上并延伸到所述多個開口中以接觸所述多個接墊的第一表面；以及

第二介電層，所述第二介電層包覆且顯露部分所述圖案化金屬層。

4.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

多個接墊，每一所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述多個接墊上方且部分所述圖案化金屬層接觸所述多個接墊的第一表面；以及

介電層，所述介電層具有下表面，所述介電層包覆所述圖案化金屬層以及所述多個接墊，且所述介電層顯露部分所述圖案化金屬層以及所述多個接墊的第二表面，所述多個接墊的第一表面與所述介電層的下表面間的距離相同。

5.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一介電層，所述第一介電層具有多個開口；

多個接墊，每一所述多個接墊分別位于每一所述多個開口中，且每一所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面，所述多個接墊的第一表面和第二表面間的距離為所述接墊的高度，不同接墊的高度差小于預(yù)定值，所述多個開口顯露所述第二表面；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述第一介電層上并延伸到所述多個開口中以接觸所述多個接墊的第一表面；以及

第二介電層，所述第二介電層包覆且顯露部分所述圖案化金屬層。

6.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

多個接墊，每一所述多個接墊具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面；

圖案化金屬層，所述圖案化金屬層位于所述多個接墊上方且部分所述圖案化金屬層接觸所述多個接墊的第一表面；以及

介電層，所述介電層具有下表面，所述介電層包覆所述圖案化金屬層以及所述多個接墊，且所述介電層顯露部分所述圖案化金屬層以及所述多個接墊的第二表面，每一所述多個接墊的第一表面和第二表面間的距離為所述接墊的高度，不同接墊的高度差小于預(yù)定值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體襯底，其中所述預(yù)定值為2μm。

8.一種半導(dǎo)體襯底，其包含：

第一圖案化金屬層，所述第一圖案化金屬層具有第一表面和相對于所述第一表面的第二表面；

第一介電層，所述第一介電層具有上表面以及相對于所述上表面的下表面，所述第一介電層位于所述第一圖案化金屬層上且具有多個開口以顯露部分所述第一表面，所述第一圖案化金屬層被開口顯露的第一表面與所述第一介電層的下表面間的距離相同；

第二圖案化金屬層，所述第二圖案化金屬層位于所述第一介電層上并延伸到所述多個開口中以接觸所述第一圖案化金屬層的第一表面；以及

第二介電層，所述第二介電層包覆且顯露部分所述第二圖案化金屬層。