[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶圓的分?jǐn)喾椒?/span>有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410342937.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104425234B | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上村剛博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星鉆石工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/304 | 分類號(hào): | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 日本大阪府*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體晶圓 刻劃線 分?jǐn)?/a> 研削 薄板化 按壓 浸透 相反側(cè) 磨石 分?jǐn)囝A(yù)定線 刻劃輪 切割鋸 斷桿 反轉(zhuǎn) 撓曲 全域 轉(zhuǎn)動(dòng) 背面 | ||
1.一種半導(dǎo)體晶圓的分?jǐn)喾椒ǎ菍?duì)于應(yīng)進(jìn)行加工的半導(dǎo)體晶圓的一面利用研削磨石進(jìn)行研削而薄板化并且沿分?jǐn)囝A(yù)定線進(jìn)行分?jǐn)啵涮卣髟谟冢?/p>
借由使沿圓周棱線具有刃前端的刻劃輪,沿該半導(dǎo)體晶圓的上面的分?jǐn)囝A(yù)定線一邊進(jìn)行按壓一邊轉(zhuǎn)動(dòng),而形成由往厚度方向浸透的裂紋構(gòu)成的刻劃線,此時(shí)所形成的裂紋深度,成為未浸透利用接下來的研削磨石進(jìn)行的研削而薄板化的半導(dǎo)體晶圓的厚度全域的深度;
接著,使該半導(dǎo)體晶圓表背面反轉(zhuǎn),對(duì)該刻劃線形成面的相反側(cè)的面利用研削磨石進(jìn)行研削而薄板化半導(dǎo)體晶圓;
接著,從刻劃線形成面的相反側(cè)的面沿該刻劃線以裂斷桿進(jìn)行按壓,借此使該半導(dǎo)體晶圓撓曲而使該裂紋進(jìn)一步浸透從而分?jǐn)喟雽?dǎo)體晶圓。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓的分?jǐn)喾椒ǎ涮卣髟谟谄渲校?/p>
于該半導(dǎo)體晶圓形成有該刻劃線之后,于該刻劃線形成面貼附保護(hù)片,進(jìn)行借由該研削磨石的研削。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星鉆石工業(yè)股份有限公司,未經(jīng)三星鉆石工業(yè)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410342937.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:絕緣體上鰭片的制造方法
- 下一篇:等離子處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





