[發明專利]一種像素結構及其制造方法、顯示基板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201410342576.6
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104155817A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 王驍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素結構及其制造方

法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷進步，液晶顯示器已經廣泛應用于便攜式電腦(Notebook)、監控器(Monitor)、電視機(TV)等顯示設備中。圖1為現有技術中像素結構的結構示意圖。如圖1所示，所述像素電極包括柵線101、數據線102、公共電極線103、像素電極104、公共電極105以及位于柵線101與數據線102相交處的薄膜晶體管。

傳統的ADS(Advanced?Dimension?Switch，高級超維場轉換)模式顯示面板中，像素電極和公共電極是相互平行的，交疊面積很大，而像素電極和公共電極交疊形成的電容就是存儲電容，因此傳統的ADS模式顯示面板的存儲電容很大。

影響充電率(Charging?Ratio)的因素有很多，例如，分辨率、電容電阻、存儲電容、充電電流等。對于ADS模式顯示面板而言，顯示面板的尺寸越大，像素電極就越大，存儲電容也會越大，而存儲電容太大會影響到充電率。顯示面板的像素充電不足必然會帶來顯示面板Mura等問題，進而影響顯示畫面的品質。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種像素結構及其制造方法、顯示基板和顯示裝置，用于解決現有技術中大尺寸顯示面板出現的因像素充電不足而影響顯示畫面品質的問題。

為此，本發明提供一種像素結構，包括多個柵線和多個數據線，所述柵線和所述數據線交叉限定出像素單元，所述像素單元包括公共電極、多個像素子電極和與所述像素子電極對應的薄膜晶體管，所述像素子電極和所述薄膜晶體管電連接，所述像素子電極和所述公共電極之間形成存儲電容。

可選的，所述數據線和多個所述柵線限定出所述像素單元，多個所述柵線之間電連接。

可選的，所述數據線和兩個所述柵線限定出所述像素單元，所述像素子電極的數量為兩個。

可選的，還包括公共電極線，所述公共電極線位于兩個所述像素子電極之間。

可選的，所述公共電極線和所述柵線平行且同層設置。

可選的，所述柵線和多個所述數據線限定出像素單元，多個所述數據線之間電連接。

可選的，還包括公共電極線，所述公共電極線位于所述像素單元中任意兩個所述像素子電極之間。

可選的，所述公共電極線和所述數據線平行且同層設置。

本發明還提供一種顯示基板，包括襯底基板和位于所述襯底基板之上的上述任一像素結構。

本發明還提供一種顯示裝置，包括相對設置的對置基板和上述顯示基板。

本發明還提供一種像素結構的制造方法，包括：形成多個柵線、多個數據線、公共電極、像素子電極和薄膜晶體管，所述柵線和所述數據線交叉限定出像素單元，所述像素單元包括所述公共電極和多個所述像素子單元，所述像素子單元包括所述薄膜晶體管和所述像素子電極，所述像素子電極和所述薄膜晶體管電連接，所述像素子電極和所述公共電極之間形成存儲電容。

本發明具有下述有益效果：

本發明提供的像素結構及其制造方法、顯示基板和顯示裝置中，所述像素單元包括多個像素子電極和多個薄膜晶體管，每個薄膜晶體管為與所述薄膜晶體管對應的像素子電極充電，而所述像素子電極與公共電極之間形成的存儲電容尺寸較小，能夠保證所述像素子電極具有足夠的充電率，從而提升顯示畫面的品質。

附圖說明

圖1為現有技術中像素結構的結構示意圖；

圖2為本發明實施例一提供的一種像素單元的應用示意圖；

圖3為圖2所示像素單元的一個像素結構的結構示意圖；

圖4為本發明實施例二提供的一種像素單元的應用示意圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的像素結構及其制造方法、顯示基板和顯示裝置進行詳細描述。

實施例一

圖2為本發明實施例一提供的一種像素單元的應用示意圖，圖3為圖2所示像素單元的一個像素結構的結構示意圖。如圖2、圖3所示，像素結構包括多個柵線101和多個數據線102，所述柵線101和所述數據線102交叉限定出像素單元。所述像素單元包括公共電極105、多個像素子電極107和多個薄膜晶體管107，所述像素子電極106與所述薄膜晶體管107對應。所述像素子電極106和所述薄膜晶體管107電連接，所述像素子電極106和所述公共電極105之間形成存儲電容。