[發明專利]一種用激光輻照處理制備SiC歐姆接觸的方法在審
| 申請號： | 201410341931.8 | 申請日： | 2014-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN104134610A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發明（設計）人： | 盧吳越;陳之戰;程越;談嘉慧 | 申請（專利權）人： | 上海師范大學 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 周云 |
| 地址： | 200234 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 激光 輻照 處理 制備 sic 歐姆 接觸 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用激光輻照處理制備SiC歐姆接觸的方法，包括清潔SiC襯底表面，在SiC表面制備接觸層，得到歐姆接觸，其特征是，以激光在高真空、惰性氣體或惰性液體保護氛圍中對襯底表面進行輻照。
2.如權利要求1所述的一種用激光輻照處理制備SiC歐姆接觸的方法，其特征是：所述SiC，為單晶，如4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC晶型或多晶，是導電型或者半絕緣型。
3.如權利要求1所述的一種用激光輻照處理制備SiC歐姆接觸的方法，其特征是：所述激光波長小于500nm。
4.如權利要求1所述的一種用激光輻照處理制備SiC歐姆接觸的方法，其特征是：所述激光處理過程，激光從襯底正面進行輻照或從襯底背面進行輻照。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
