[發(fā)明專利]多層柔性平面內(nèi)嵌迭片電極及其制備方法與在有機(jī)場單晶場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410341768.5
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104134749B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 童艷紅;劉益春;湯慶鑫;趙曉麗
• 申請（專利權(quán)）人: 東北師范大學(xué)
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/40
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11245
• 代理人: 關(guān)暢,王春霞

1.一種柔性平面內(nèi)嵌迭片電極的制備方法，包括如下步驟：

(1)在襯底的表面連接十八烷基三氯硅烷；

(2)在經(jīng)步驟(1)修飾之后的襯底上，利用光刻的方法分別制備源電極、漏電極和柵電極；并在所述源電極、所述漏電極和所述柵電極的金屬電極表面利用氣相法連接巰丙基三甲氧基硅烷；

(3)在步驟(2)的得到的所述源電極、所述漏電極和所述柵電極的金屬電極表面分別旋涂聚二甲基硅氧烷，并進(jìn)行固化；

(4)將旋涂有聚二甲基硅氧烷的所述柵電極從所述襯底上進(jìn)行轉(zhuǎn)移；將所述柵電極的金屬電極表面、所述源電極和所述漏電極的聚二甲基硅氧烷表面分別進(jìn)行氧等離子體處理，即在表面形成羥基；

(5)剪裁所述源電極和所述漏電極；將所述柵電極的金屬電極表面、所述源電極和所述漏電極的聚二甲基硅氧烷表面進(jìn)行對正，并放入烘箱中加熱，則將所述柵電極、所述源電極和所述漏電極連接形成一整體，即得到所述多層柔性平面內(nèi)嵌迭片電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(1)中，連接十八烷基三氯硅烷的步驟如下：

將清洗后的所述襯底靜置于濃硫酸與過氧化氫體積比為7：3的混合溶液中；然后清洗所述襯底，再將所述襯底置于正庚烷與十八烷基三氯硅烷體積比為1000：1的混合溶液中，即在所述襯底表面連接上所述十八烷基三氯硅烷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，所述光刻的方法的條件如下：

在所述襯底上旋涂光刻膠，經(jīng)加熱后置于365nm下的紫外燈下進(jìn)行曝光，然后依次經(jīng)顯影和定影后，進(jìn)行蒸鍍金屬；

利用真空氣相法在金屬電極表面連接所述巰丙基三甲氧基硅烷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，所述柵電極上旋涂的所述聚二甲基硅氧烷的厚度為50～500μm；

所述源電極和所述漏電極上旋涂的所述聚二甲基硅氧烷的厚度均為0.8～5μm；

所述固化的溫度為70℃～100℃，所述固化的時間可為12～2小時。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟(4)中，所述氧等離子體處理的時間為10秒～60秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟(5)中，所述加熱的溫度為70℃～100℃，所述加熱的10～30min。

7.權(quán)利要求1-6中任一項所述方法制備的多層柔性平面內(nèi)嵌迭片電極。

8.權(quán)利要求7所述多層柔性平面內(nèi)嵌迭片電極在制備有機(jī)場單晶場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用。