[發明專利]一種可調的非易失性存儲器參考單元

在審

• 申請號: 201410341595.7
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104134458A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 李政;郭瑋;康旺;趙巍勝
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 北京慧泉知識產權代理有限公司 11232
• 代理人: 王順榮;唐愛華

1.一種可調的非易失性存儲器參考單元，其特征在于：它由兩列串聯的R_X-NMOS-R_X-NMOS結構并聯而成，其中非易失性存儲器件M1、M3被配置成低阻態，非易失性存儲器件M2、M4被配置成高阻態，或者非易失性存儲器件M1、M2被配置成低阻態，非易失性存儲器件M3、M4被配置成高阻態，由此得到高低阻態存儲單元電導或電阻的算數平均值；非易失性存儲器件M1、M2的頂端連接位線BL，NMOS晶體管N3、N4源極連接源極線SL，NMOS晶體管N1、N2的柵極連接字線WL；在第一種設計方案中，NMOS晶體管N3、N4的柵極共同連接可調字線WL_A，為粗校準設計；在第二種設計方案中，NMOS晶體管N3、N4的柵極分別連接可調字線WL_A1和可調字線WL_A2，為精校準設計；

該參考單元中的NMOS晶體管N1和N2的柵極接字線WL，字線為低電平時，NMOS晶體管N1和N2處于斷開狀態，參考單元不可訪問；當字線為高電平時且可調字線WL_A或WL_A1、WL_A2為高電平時，NMOS晶體管處于導通狀態，參考單元可訪問并且可校準；

在粗校準設計中，可調字線WL_A提供包括Vdd在內的多種電壓值，通過同時改變NMOS晶體管N3、N4的柵極電壓而改變其電阻值，進而改變整個參考單元的電阻和電導值；

在精校準設計中，可調字線WL_A1和可調字線WL_A2均提供包括Vdd在內的多種電壓值，WL_A1和WL_A2有多種組合，每一組合都對應參考單元的一種電阻和電導值。