[發(fā)明專利]電容器內嵌基板及其制造方法

有效

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• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104715921A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設計）人: 崔容碩;鄭斗淵;吳光宰;李大衡
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/002
• 分類號: H01G4/002;H01G4/228
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;李靜

1.一種電容器內嵌基板，包括：

陶瓷層，所述陶瓷層中包括第一電路；

接收凹槽，所述接收凹槽形成在所述陶瓷層的一個表面上；

電容器，所述電容器被插入在所述接收凹槽中；

聚合物層，所述聚合物層以使得所述電容器被嵌入在所述接收凹槽中的方式層壓在所述陶瓷層上并且所述聚合物層包括與所述第一電路電連接的第二電路；以及

過孔電極，所述過孔電極被通過穿透所述聚合物層而與所述電容器連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，進一步包括樹脂材料，所述樹脂材料被填充在所述接收凹槽中以便固定所述電容器。

3.根據(jù)權利要求2所述的電容器內嵌基板，其中，所述樹脂材料覆蓋所述電容器的上表面，并且所述過孔電極穿透所述樹脂材料。

4.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，其中，所述接收凹槽形成得使得所述接收凹槽的深度小于所述電容器的厚度。

5.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，其中，所述聚合物層包括多個層，并且

其中所述過孔電極垂直于所述聚合物層穿透所述多個層。

6.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，進一步包括焊盤電極，所述焊盤電極形成在所述聚合物層的上表面上以與所述過孔電極連接。

7.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，其中，所述聚合物層形成得使所述聚合物層的厚度小于所述陶瓷層的厚度。

8.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，其中，所述接收凹槽被設置在所述陶瓷層的內部上。

9.根據(jù)權利要求1所述的電容器內嵌基板，其中，所述聚合物層包括聚酰亞胺。

10.一種制造電容器內嵌基板的方法，包括：

在陶瓷層的一個表面上形成接收凹槽，所述陶瓷層中包括第一電路；

將電容器插入到所述接收凹槽中；

將聚合物層層壓在所述陶瓷層上以將所述電容器嵌入到所述接收凹槽中，所述聚合物層包括與所述第一電路電連接的第二電路；以及

通過穿透所述聚合物層形成過孔電極，所述過孔電極與所述電容器電連接。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，在將所述接收凹槽形成在所述陶瓷層上之前，所述方法進一步包括：

通過層壓陶瓷板而形成所述陶瓷層；和

烘烤所述陶瓷層。

12.根據(jù)權利要求10所述的方法，在將所述電容器插入到所述接收凹槽中之前或者之后，所述方法進一步包括：用樹脂材料填充所述接收凹槽。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中，在形成所述接收凹槽的步驟中，所述接收凹槽形成得使得所述接收凹槽的深度大于所述電容器的厚度，并且

其中，在形成所述過孔電極的步驟中，所述過孔電極穿透覆蓋所述電容器的上表面的所述樹脂材料。

14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，在將所述聚合物層層壓在所述陶瓷層上的步驟中，所述聚合物層形成得使得所述聚合物層的厚度小于所述陶瓷層的厚度。

15.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述聚合物層包括多個層，并且

其中，在形成所述過孔電極的步驟中，所述過孔電極垂直于所述聚合物層穿透所述多個層。

16.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述過孔電極的形成包括：

以使得所述電容器的外電極露出的方式在所述聚合物層中形成過孔；和

在所述過孔中形成導體。

17.根據(jù)權利要求16的所述方法，其中，所述導體的形成包括：

在所述聚合物層上形成種子層以便覆蓋所述過孔的內部部分；

在所述種子層上形成抗蝕劑；

以使得所述種子層露出的方式在所述抗蝕劑中形成開口；

在所述開口中形成鍍層；以及

去除所述種子層和所述抗蝕劑。

18.根據(jù)權利要求10所述的方法，在形成所述過孔電極之后，所述方法進一步包括：在所述聚合物層的上表面上形成焊盤電極以與所述過孔電極連接。