[發明專利]一種測試結構及測試方法

有效

• 申請號: 201410341355.7
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN105304614B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 楊梅
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種測試結構，包括襯底層及若干分立的第一層間金屬層，所述第一層間金屬層與所述襯底層之間通過若干第一接觸插塞電連接；其特征在于：所述測試結構還包括一連續分布的第二層間金屬層，所述第二層間金屬層通過若干第二接觸插塞與所述第一層間金屬層電連接，所述第二層間金屬層的面積大于所有第一層間金屬層的面積之和，達到接地的效果，增強金屬斷線連接后，第一接觸插塞表面的電勢差。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述第二接觸插塞的位置與所述第一接觸插塞的位置相對應。

3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述襯底層包括若干由隔離結構隔離出的有源區，各有源區之間通過所述第一接觸插塞及所述第一層間金屬層連接形成一條測試通路，所述測試通路兩端的第一層間金屬層分別與一金屬焊盤連接。

4.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述襯底層包括金屬互連層。

5.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述測試結構形成在晶圓的切割道上。

6.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述第二層間金屬層的材料為銅或鋁，所述第二接觸插塞的材料為銅或鎢。

7.一種接觸插塞頂部接觸情況的測試方法，其特征在于，至少包括以下步驟：提供權利要求1～6任意一項所述測試結構，從所述測試結構背面去除所述襯底層至露出所述第一接觸插塞，通過掃描電子顯微鏡下觀察所述第一接觸插塞的明暗程度，若其中一個第一接觸插塞相對于其它第一接觸插塞較暗，則判斷該第一接觸插塞與所述第一層間金屬層之間斷線連接。

8.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于：測試時，所述掃描電子顯微鏡的電子加速電壓設定值小于3kV。

9.根據權利要求8所述的測試方法，其特征在于：測試時，所述掃描電子顯微鏡的電子加速電壓范圍為0.5～2kV。

10.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于：通過機械研磨結合堿性溶液腐蝕去除所述襯底層。