[發明專利]一種石墨烯硅太陽電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201410340422.3
• 申請日: 2014-07-17
• 公開（公告）號: CN104134706A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 李鋼
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 于曉曉

1.一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，由上而下依次包括以下結構：正面金屬電極、氮化硅薄膜、石墨烯薄膜、N型硅薄層、P型硅基體和背面金屬電極構成。

2.?根據權利要求1所述的一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，正面金屬電極穿透氮化硅薄膜和石墨烯薄膜與N型硅薄層接觸。

3.?根據權利要求2所述的一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，正面金屬電極為Ag電極。

4.?根據權利要求2所述的一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，氮化硅薄膜厚度為80-90nm。

5.?根據權利要求4所述的一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，石墨烯薄膜厚度為1-10nm。

6.?根據權利要求5所述的一種石墨烯硅太陽電池，其特征在于，N型硅薄層擴散方阻為80-100歐姆，結深0.2-0.5μm。

7.?如權利要求1所述的一種石墨烯硅太陽電池的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將P型基體單晶或多晶硅片放在化學溶液中將表面腐蝕成絨面結構；

（2）通過將磷原子高溫擴散或者磷離子注入法完成正面磷摻雜，形成N型硅薄層；

（3）通過化學溶液或等離子法對硅片進行刻蝕去邊并清洗；

（4）在N型硅薄層上制備生成石墨烯薄層；

（5）通過PECVD法鍍上氮化硅薄層；

（6）印刷正面與背面電極。

8.根據權利要求7所述的一種石墨烯硅太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟（4）所述的石墨烯薄層通過化學氣相沉積法、碳化硅表面外延法、氧化減薄法、粘膠帶法或硅表面生長法來實現。

9.?根據權利要求7所述的一種石墨烯硅太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟（4）所述的石墨烯薄層為一層以上石墨烯。