[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410340346.6
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104183603B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 劉耀;白金超;李梁梁;丁向前;劉曉偉;郭總杰;陳曦
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括，位于襯底基板上方的包括柵極、柵線的柵金屬層，柵絕緣層，以及有源層；其特征在于，還包括，

包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層，所述源漏金屬層包括銅金屬層和/或銅合金層；

包括與所述漏極直接接觸的像素電極、與所述源極直接接觸的第一像素電極保留圖案、與所述數據線直接接觸的第二像素電極保留圖案的像素電極層；

其中，所述像素電極與所述漏極直接接觸的區域、所述第一像素電極保留圖案均位于所述有源層與所述源漏金屬層之間；

所述像素電極未與所述漏極直接接觸的區域、所述第二像素電極保留圖案均位于所述柵絕緣層的上方/下方。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，針對所述有源層包括非晶硅有源層的情況，所述陣列基板還包括歐姆接觸層；

其中，所述歐姆接觸層位于所述非晶硅有源層與所述像素電極層之間，且所述歐姆接觸層露出所述源極與所述漏極之間的間隙對應的區域；

所述歐姆接觸層與所述像素電極層直接接觸。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述歐姆接觸層包括微晶硅材料層、氮摻雜的微晶硅材料層、氧化物半導體材料層中的至少一種材料層。

4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至3任一項所述的陣列基板。

5.一種陣列基板的制備方法，包括，形成包括柵極、柵線的柵金屬層，柵絕緣層；其特征在于，還包括，

形成有源層，包括像素電極、第一像素電極保留圖案、第二像素電極保留圖案的像素電極層，以及包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層；

其中，所述像素電極與所述漏極直接接觸，所述第一像素電極保留圖案與所述源極直接接觸，所述第二像素電極保留圖案與所述數據線直接接觸；

所述像素電極與所述漏極直接接觸的區域、所述第一像素電極保留圖案均形成于所述有源層與所述源漏金屬層之間；

所述像素電極未與所述漏極直接接觸的區域、所述第二像素電極保留圖案均形成于所述柵絕緣層的上方/下方；

所述源漏金屬層采用銅和/或銅合金材料制備。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，針對所述有源層采用非晶硅材料制備的情況，所述形成有源層，包括像素電極、第一像素電極保留圖案、第二像素電極保留圖案的像素電極層，以及包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層，包括，

形成非晶硅有源層，歐姆接觸層，包括像素電極、第一像素電極保留圖案、第二像素電極保留圖案的像素電極層，以及包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層；

其中，所述歐姆接觸層形成于所述非晶硅有源層與所述像素電極層之間，且所述歐姆接觸層露出所述源極與所述漏極之間的間隙對應的區域；

所述歐姆接觸層與所述像素電極層直接接觸。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述形成非晶硅有源層，歐姆接觸層，包括像素電極、第一像素電極保留圖案、第二像素電極保留圖案的像素電極層，以及包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層；其中，所述歐姆接觸層形成于所述非晶硅有源層與所述像素電極層之間，且所述歐姆接觸層露出所述源極與所述漏極之間的間隙對應的區域；所述歐姆接觸層與所述像素電極層直接接觸，具體包括，

采用構圖工藝，在形成有所述柵金屬層，所述柵絕緣層的基板上依次形成非晶硅有源層，歐姆接觸層；其中，所述歐姆接觸層露出待形成的源極與漏極之間的間隙對應的所述非晶硅有源層的區域；

采用構圖工藝，在形成有所述歐姆接觸層的基板上形成包括像素電極、第一像素電極保留圖案、第二像素電極保留圖案的像素電極層；其中，所述像素電極的部分對應于待形成的漏極的區域，所述第一像素電極保留圖案對應于待形成的源極的區域，所述第二像素電極保留圖案對應于待形成的數據線的區域；

采用構圖工藝，在形成有所述像素電極層的基板上形成包括源極、漏極、數據線的源漏金屬層；其中，所述漏極與所述像素電極的部分直接接觸，所述源極與所述第一像素電極保留圖案直接接觸，所述數據線與所述第二像素電極保留圖案直接接觸。