[發(fā)明專利]一種磁邏輯器件的并聯(lián)編程電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410339998.8 | 申請日： | 2014-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN104134455B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李政;郭瑋;康旺;燕博南;趙巍勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京航空航天大學(xué) |
| 主分類號： | G11C11/15 | 分類號： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京慧泉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11232 | 代理人： | 王順榮,唐愛華 |
| 地址： | 100191*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 邏輯 器件 并聯(lián) 編程 電路 | ||
1.一種磁邏輯器件的并聯(lián)編程電路，其特征在于：磁觸發(fā)器MFF中的兩個磁隧道結(jié)M1和M2的兩端電極交叉連接，兩條交叉通路中的一路接有一個開關(guān)S5；同時MTJ的上下兩端分別與一個開關(guān)串接，通過控制四個開關(guān)S1、S2、S3、S4的斷開與閉合來控制編程電流流經(jīng)各MTJ的方向；
所述開關(guān)S1、S2、S3、S4和S5是NMOS晶體管、PMOS晶體管、雙MOS晶體管傳輸門；
所述開關(guān)S5位于M1自由層與M2固定層之間的通路上，或者位于M1固定層與M2自由層之間的通路上，或者兩條支路上都有一個開關(guān)；
所述磁觸發(fā)器MFF中的磁隧道結(jié)MTJ為垂直磁場各向異性磁隧道結(jié)PMA-MTJ即Perpendicular Magnetic Anisotropy MTJ，或者為面內(nèi)磁場各向異性磁隧道結(jié)In-plane-MTJ即In-plane Magnetic Anisotropy MTJ；
M1的上下兩端分別與開關(guān)S1、S3串接，M2的上下兩端分別開關(guān)S2、S4串接，從而根據(jù)寫編程操作時電流流經(jīng)各MTJ的阻態(tài)變化的方法：
進行寫編程操作時，開關(guān)S5應(yīng)始終處于閉合狀態(tài)，當(dāng)S1和S3閉合且S2和S4斷開時，M1上的電流方向為從自由層到固定層，M2上的電流方向為從固定層到自由層；當(dāng)通過電流足夠大且持續(xù)一定時間后，M1呈低阻態(tài)且M2呈高阻態(tài)；當(dāng)S1和S3斷開且S2和S4閉合時，M1上的電流方向為從固定層到自由層，流經(jīng)M2的電流方向為從自由層到固定層，當(dāng)通過電流足夠大且持續(xù)一定時間后，M1呈高阻態(tài)且M2呈低阻態(tài)；
在進行讀操作時，開關(guān)S1、S2、S3、S4和S5處于斷開狀態(tài)，與M1和M2連接的讀出放大器的兩條支路閉合，M1和M2儲存的二進制信息被讀取并輸出。
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