[發明專利]接觸孔的制作方法

有效

• 申請號: 201410339008.0
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN105374736B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 王新鵬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種接觸孔的制作方法，所述接觸孔的長軸與短軸不相等，其特征在于，所述長軸是指所述接觸孔橫截面積中相對較長的直徑，所述短軸是指所述接觸孔橫截面積中相對較短的直徑，該制作方法包括：

在襯底的表面上遠離所述襯底的方向上依次形成介質層和具有圖形的掩膜層；

沿所述掩膜層中所述圖形的長軸方向，在裸露于所述圖形外的所述介質層的兩端上形成輔助掩膜層，所述輔助掩膜層選自有機抗反射涂層，氧化硅或氮化硅；

沿所述掩膜層中所述圖形向下刻蝕所述輔助掩膜層和所述介質層至暴露出所述襯底，在介質層中形成所述接觸孔；

去除所述掩膜層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述掩膜層的步驟包括：

在所述介質層上沿遠離所述介質層的方向依次形成掩膜預備層和具有通孔的第一光刻膠層，所述通孔的形狀與所欲形成的所述接觸孔的形狀相同；

沿所述通孔刻蝕所述掩膜預備層至暴露出所述介質層，以形成圖形化的所述掩膜層；

去除剩余的第一光刻膠層。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，刻蝕所述掩膜預備層以形成具有圖形的所述掩膜層的步驟后，進一步刻蝕去除部分所述介質層。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，去除所述介質層的厚度為1~200?。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述輔助掩膜層的步驟中，形成覆蓋在所述掩膜層，以及裸露于所述圖形外的所述介質層沿所述圖形長度方向設置的兩端的所述輔助掩膜層。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述輔助掩膜層的步驟包括：

在所述掩膜層，以及裸露于所述圖形外的所述介質層上形成輔助掩膜預備層；

在所述輔助掩膜預備層中欲形成所述輔助掩膜層的部分上形成第二光刻膠層；

去除未被所述第二光刻膠層覆蓋的所述輔助掩膜預備層；

去除所述第二光刻膠層，形成所述輔助掩膜層。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述輔助掩膜預備層的工藝為濕法刻蝕。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，濕法刻蝕去除所述輔助掩膜預備層時的刻蝕速率為10~50?/min。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的制作方法，其特征在于，位于所述介質層上的所述輔助掩膜層沿所述圖形長度方向的總長度為所述圖形長度的25%~60%。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，位于所述介質層上的所述輔助掩膜層的厚度為所述介質層的厚度的1/20~1/10。

11.根據權利要求1至8中任一項所述的制作方法，其特征在于，所述介質層包括遠離所述襯底的方向上依次設置的刻蝕阻擋層和介電材料層；所述掩膜層包括遠離所述介質層的方向上依次設置的掩膜材料層和抗反射涂層。