[發明專利]電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器

有效

• 申請號: 201410338950.5
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104076573B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 田浩;周忠祥;姚博;譚鵬
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: G02F1/29
• 分類號: G02F1/29
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所23109
• 代理人: 張利明

1.一種電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器，其特征在于，它包括電光偏轉晶體(1)和外加電壓(2)，

電光偏轉晶體(1)為順電相電光晶體，沿順電相電光晶體的生長方向切割獲得，該順電相電光晶體為采用頂部籽晶助溶劑法生長出的組分沿生長方向連續變化的晶體；

將電光偏轉晶體(1)放置到待偏轉光路中，使入射光束垂直入射于電光偏轉晶體(1)表面，所述入射光束的入射方向與電光偏轉晶體(1)的生長方向相垂直；沿垂直于電光偏轉晶體(1)生長方向施加外加電壓(2)，使電光偏轉晶體(1)沿生長方向形成漸變折射率梯度分布，進而使電光偏轉晶體(1)內部光波等相位面發生偏轉，并在其輸出端實現光束方向的偏轉；所述外加電壓(2)的電場方向與光束的入射方向相垂直。

2.根據權利要求1所述的電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器，其特征在于，所述電光偏轉晶體(1)為電光系數梯度分布的鉭鈮酸鉀KTa_1-xNb_xO₃電光晶體，其電光系數梯度分布區間為0.96×10^-15m²V^-2～2.70×10^-15m²V^-2，沿生長方向組分鈮Nb的變化區間x為0.359～0.371。

3.根據權利要求2所述的電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器，其特征在于，所述電光偏轉晶體(1)為采用K₂CO₃、Ta₂O₅和Nb₂O₅按照摩爾比例1.04:0.32:0.68配制總質量為100g的原料進行生長獲得，該電光偏轉晶體(1)在放肩生長階段的垂直提拉方向尺寸為11.80mm×11.80mm，在等徑生長階段的降溫速度為0.4℃/h，其組分鈮Nb的梯度分布為0.0031/mm。

4.根據權利要求1、2或3所述的電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器，其特征在于，所述入射光束為單一波長或多波長的激光束。

5.根據權利要求1、2或3所述的電控連續漸變折射率電光晶體偏轉器，其特征在于，外加電壓(2)的兩個連接端連接在電光偏轉晶體(1)的兩個相對的表面上，該兩個相對的表面上鍍銀電極。