[發明專利]閃存器件及其中閃存單元塊的擦除方法在審
| 申請號: | 201410337920.2 | 申請日: | 2006-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN104123965A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 丁民中;鄭丙官;姜泰圭 | 申請(專利權)人: | 海力士半導體有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/16 | 分類號: | G11C16/16 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京橋;陳煒 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閃存 器件 其中 單元 擦除 方法 | ||
本申請為于2006年12月31日提交、申請號為200610156446.9、發明名稱為“閃存器件及其中閃存單元塊的擦除方法”的中國專利申請的分案申請,其全部內容通過引用合并于本申請中。
相關申請的交叉引用
本發明要求2006年9月29日提交的韓國專利申請第2006-96184號的優先權,其全部內容通過引用結合于此。
技術領域
本發明涉及閃存器件和提高擦除操作速度的方法。
背景技術
即使當不供電時,閃存器件也保持其中存儲的數據,即,閃存器件是一種非易失性的存儲器件。根據其中所包括的存儲器單元的模式,該閃存器件分為NOR閃存器件和NAND閃存器件。閃存器件的操作分為編程操作、擦除操作和讀操作。
NAND閃存器件中的存儲器單元陣列包括多個塊,且每個塊具有連接到多個位線的串。此處,所述串包括連接到所述位線的漏選擇晶體管、多個存儲器單元和連接到公共源線的源選擇晶體管。由于NAND閃存器件中的此單元陣列是公知的,將省略有關所述單元陣列的進一步說明。
NAND閃存器件的擦除操作以塊為單位來執行。即,一塊中所包括的所有閃存單元在一次擦除操作中被擦除。當需要擦除幾個塊時,輸入要擦除的第一塊的地址,然后第一塊被擦除。第一塊被擦除后,輸入緊接著第一塊的第二塊的地址,于是第二塊可被擦除。
簡言之,根據傳統的擦除技術,為了擦除特定塊,總是需要輸入對應于該塊的地址。換言之,當擦除N(大于2的整數)個塊時,需要輸入所有N個地址。
發明內容
本發明的特征在于提供一種閃存器件和一種擦除存儲器單元塊的方法,其中通過存儲起始塊和最后塊的地址,逐次擦除所述塊,然后當所述最后塊被擦除時完成整個擦除操作,從而提高了擦除操作的速度。
根據本發明一個實施例的閃存器件包括存儲器單元陣列、地址寄存器部、控制邏輯電路、高電壓發生器、塊選擇部、擦除塊地址存儲部和塊地址比較部。所述存儲器單元陣列具有多個塊。所述地址寄存器部存儲與要擦除的第一塊對應的起始塊地址以及與要擦除的最后塊對應的最后塊地址。所述控制邏輯電路輸出擦除命令信號和擦除塊地址。所述高電壓發生器根據所述擦除命令信號輸出擦除操作所需的擦除電壓。所述塊選擇部根據所述擦除塊地址將所述擦除電壓發送到對應的塊。所述擦除塊地址存儲部存儲從所述控制邏輯電路輸出的擦除塊地址。所述塊地址比較部比較所述最后塊地址和所述擦除塊地址,如果所述最后塊地址和所述擦除塊地址不同,則向所述控制邏輯電路輸出擦除進展信號。所述控制邏輯電路在接收到所述擦除進展信號時增加所述擦除塊地址,直到所述擦除塊地址等于所述最后塊地址。對應于從所述控制邏輯電路輸出的所述擦除塊地址的所有塊被逐次擦除。所述地址寄存器部包括:配置為存儲所述起始塊地址的第一地址寄存器;以及配置為存儲所述最后塊地址的第二地址寄存器。
根據本發明一個實施例的擦除閃存器件中的塊的方法包括:存儲與要擦除的第一塊的地址對應的起始塊地址;存儲與要擦除的最后塊的地址對應的最后塊地址;以及對從由所述起始塊地址所選擇的塊到由所述最后塊地址所選擇的塊執行擦除操作。
在一個實施例中,閃存器件包括具有多個塊的存儲器單元陣列。地址寄存器部被配置為接收要擦除的多個塊中的要擦除的第一塊的起始塊地址以及要擦除的多個塊中的要擦除的最后塊的最后塊地址??刂七壿嬰娐繁慌渲脼檩敵霾脸钚盘柡团c要擦除的所述塊之一對應的擦除塊地址。塊地址比較部被配置為比較由所述控制邏輯電路輸出的擦除塊地址與所述最后塊地址,如果所述擦除塊地址與所述最后塊地址不同,則向所述控制邏輯電路輸出擦除進展信號。所述控制邏輯電路在接收到所述擦除進展信號時輸出要擦除的另一塊的擦除塊地址,直到要擦除的所述最后塊已經或正在被擦除。對應于從所述控制邏輯電路輸出的所述擦除塊地址的所有塊被逐次擦除。所述地址寄存器部包括:配置為存儲所述起始塊地址的第一地址寄存器;以及配置為存儲所述最后塊地址的第二地址寄存器。
在一個實施例中,所述存儲器件還包括:擦除塊地址存儲部,其被配置為接收由所述控制邏輯電路輸出的擦除塊地址,并向所述塊地址比較部輸出所述擦除塊地址。高電壓發生器被配置為根據所述控制邏輯電路輸出的擦除命令信號輸出擦除操作所需的擦除電壓。塊選擇部被配置為將所述擦除電壓發送到對應于所述擦除塊地址的塊。
在一個實施例中,所述地址寄存器部包括配置為存儲所述起始塊地址的第一地址寄存器和配置為存儲所述最后塊地址的第二地址寄存器。所述地址寄存器部和所述塊地址比較部共享所述第二地址寄存器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于海力士半導體有限公司,未經海力士半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410337920.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種輻照托箱門用閉合檢測裝置
- 下一篇:半導體存儲裝置





