[發明專利]一種具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管

在審

• 申請號: 201410337569.7
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN104157702A
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發明（設計）人: 譚巍;李建清
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/36;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 李明光

1.一種具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，從下往上依次設置有陰極區、第一緩沖層N區、漂移N^-區和陽極P⁺區，其特征在于，所述陰極區由陰極N⁺區和陰極P⁺區兩部分構成，所述陰極P⁺與第一緩沖層N區之間還設置有第二緩沖層N^-區，所述第二緩沖層N^-區摻雜濃度與漂移N^-區相同，摻雜濃度為1.0×10¹³～2.0×10¹⁴cm³。

2.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述第二緩沖層N^-區厚度為4～6um。

3.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述陰極N⁺區摻雜濃度為1.0×10¹⁷～5×10¹⁸cm³，厚度為15～17um。

4.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述陰極P⁺區摻雜濃度1.0×10¹⁶～5×10¹⁷cm³，厚度為8～10um。

5.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述陽極P⁺區摻雜濃度為1.0×10¹⁶～5×10¹⁷cm³，厚度為20～25um。

6.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述第一緩沖層N區摻雜濃度為1.0×10¹⁴～1.0×10¹⁵cm³，厚度為12～15um。

7.按權利要求1所述具有軟關斷特性的場電荷抽取二極管，其特征在于，所述漂移區N^-區厚度為200～220um，摻雜濃度1.0×10¹³～2.0×10¹⁴cm³。