[發明專利]多層配線基板及其制造方法與半導體制品

有效

• 申請號: 201410337330.X
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104349580B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 稻岡俊幸;浦辻淳廣
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/46
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種多層配線基板，包括：

溝槽，形成在絕緣層的一個表面上，所述溝槽的深度比所述絕緣層的厚度淺；以及

銅鍍，被施加到所述溝槽，

其中，所述溝槽形成于接地或電源圖案中的所述絕緣層的一個表面上，

其中，所述絕緣層是環氧材料，

其中，所述溝槽被形成為從所述絕緣層的一個表面未穿透到另一個表面，并且

其中，玻璃纖維織物設置在所述絕緣層中，并且所述玻璃纖維織物到所述絕緣層的形成有所述溝槽的一個表面的距離等于所述溝槽的深度。

2.根據權利要求1的多層配線基板，其中

所述絕緣層是堆積層。

3.根據權利要求1的多層配線基板，其中

所述絕緣層是核心層。

4.根據權利要求1的多層配線基板，其中

所述銅鍍被施加為填充所述溝槽。

5.根據權利要求1的多層配線基板，其中

所述溝槽是以所述絕緣層的一半的深度形成的。

6.根據權利要求1的多層配線基板，其中

所述溝槽的寬度是從50μm至150μm。

7.一種制造多層配線基板的方法，包括：

在絕緣層的一個表面上形成深度比所述絕緣層的厚度淺的溝槽；以及

對形成于所述絕緣層上的所述溝槽施加銅鍍，

其中，所述溝槽形成于接地或電源圖案中的所述絕緣層的一個表面上，

其中，所述絕緣層是環氧材料，

其中，所述溝槽被形成為從所述絕緣層的一個表面未穿透到另一個表面，并且

其中，所述絕緣層中具有玻璃纖維織物，并且所述玻璃纖維織物到所述絕緣層的形成有所述溝槽的一個表面的距離等于所述溝槽的深度。

8.一種半導體制品，包括：

多層配線基板，具有：

溝槽，形成在絕緣層的一個表面上，所述溝槽的深度比所述絕緣層的厚度淺；以及

銅鍍，被施加到所述溝槽，

其中，所述溝槽形成于接地或電源圖案中的所述絕緣層的一個表面上，

其中，所述絕緣層是環氧材料，

其中，所述溝槽被形成為從所述絕緣層的一個表面未穿透到另一個表面，并且

其中，玻璃纖維織物設置在所述絕緣層中，并且所述玻璃纖維織物到所述絕緣層的形成有所述溝槽的一個表面的距離等于所述溝槽的深度。

9.根據權利要求8所述的半導體制品，所述半導體制品是相機模塊。