[發明專利]鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201410336544.5
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN105304821B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 陳立桅;陳雷;唐峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/46
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 王鋒

1.一種鈣鈦礦薄膜的制作方法，其特征在于，包括步驟：

s1、在第一基底上形成第一膜層，所述第一膜層的材質選自鹵化鉛、鹵化錫中的一種或多種的混合物；

s2、在第二基底上形成第二膜層，所述第二膜層的材質選自甲胺鹵、乙胺鹵、或甲脒鹵中的一種或多種的混合物；

s3、將第一膜層和第二膜層相向貼合，加熱后獲得鈣鈦礦薄膜。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制作方法，其特征在于：所述第一基底和第二基底的材質選自玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亞銨。

3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的制作方法，其特征在于：所述步驟s3中，加熱的溫度為110℃～160℃。

4.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括步驟：

1)、在第一基底上依次制作第一電極層和第一導電層；

2)、在第一導電層上形成第一膜層，所述第一膜層的材質選自鹵化鉛、鹵化錫中的一種或多種的混合物；

3)、在第二基底上形成第二膜層，所述第二膜層的材質選自甲胺鹵、乙胺鹵、或甲脒鹵中的一種或多種的混合物；

4)、將第一膜層和第二膜層相向貼合，并進行加熱，形成鈣鈦礦薄膜；

5)、移除第二基底，在鈣鈦礦薄膜上制作第二導電層；

6)、在第二導電層上制作第二電極層。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一基底和第二基底的材質選自玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亞銨。

6.根據權利要求4所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟2)中，所述第一膜層采用的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺或γ-丁內酯。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述溶劑中還含有1,8-二碘辛烷。

8.根據權利要求4所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟3)中，所述第二膜層采用的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺或異丙醇。

9.根據權利要求4所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟4)中加熱的溫度為110℃～160℃。

10.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括步驟：

(1)在玻璃上鍍上一層ITO，通過刻蝕，得到6塊ITO區域，用洗滌劑、乙醇、丙酮和異丙醇分別超聲清洗ITO玻璃片；

(2)在ITO玻璃片上旋涂一層35nm厚的PEDOT:PSS,退火后旋涂一層碘化鉛，碘化鉛選用230mg/ml的濃度，溶劑為N,N-二甲基甲酰胺，然后在100℃下干燥15分鐘；

(3)選取清洗干凈的玻璃片，在上面旋涂一層甲胺碘，甲胺碘溶在N,N-二甲基甲酰胺中，濃度為100mg/ml；

(4)將旋涂有甲胺碘的玻璃片蓋在有碘化鉛的基底上，在135℃下反應30分鐘，移除有甲胺碘的玻璃片，得到鈣鈦礦膜層；

(5)在鈣鈦礦膜層上旋涂一層PC61BM，PC61BM濃度為20mg/ml，溶劑是氯苯，并蒸鍍一層100nm厚的Al電極。