[發(fā)明專利]低頻雙共振吸聲結(jié)構(gòu)及其設(shè)計方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410336063.4
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104078037A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井瑞祥;陶建成;邱小軍
• 申請（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類號: G10K11/172
• 分類號: G10K11/172
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低頻雙共振的吸聲結(jié)構(gòu)，其特征在于，由揚聲器單元及封閉背腔①，負(fù)電阻-R_E②，電容C_p③和電感L_p④構(gòu)成；所述的負(fù)電阻②，電容③和電感④串聯(lián)構(gòu)成分流電路后并聯(lián)在揚聲器單元①兩端。

2.如權(quán)利要求1中所述結(jié)構(gòu)的設(shè)計方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)測量揚聲器單元的TS參數(shù)；

(2)在揚聲器①兩端并聯(lián)負(fù)電阻-R_E②以及電容C_p③，其中R_E為揚聲器單元①的直流電阻，調(diào)節(jié)電容C_p③取值，使第一個吸聲峰值出現(xiàn)在設(shè)計的頻率較低的共振頻率處；

(3)在電路中串聯(lián)電感L_p④，調(diào)節(jié)電感L_p④取值，使第二個吸聲峰值出現(xiàn)在設(shè)計的頻率較高的共振頻率處；

(4)反復(fù)微調(diào)電容C_p③和電感L_p④，確保吸聲系數(shù)兩個峰值同時出現(xiàn)在設(shè)計的兩個共振頻率處。

3.如權(quán)利要求2所述設(shè)計方法中調(diào)節(jié)第一個吸聲峰值出現(xiàn)的頻率的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)谝粋€吸聲峰值出現(xiàn)的頻率高于設(shè)計的頻率較低的共振頻率時，增大電容C_p③；當(dāng)?shù)谝粋€吸聲峰值出現(xiàn)的頻率低于設(shè)計的頻率較低的共振頻率時，減小電容C_p③。

4.如權(quán)利要求2所述設(shè)計方法中調(diào)節(jié)第二個吸聲峰值出現(xiàn)的頻率的方法，其特征在于，當(dāng)?shù)诙€吸聲峰值出現(xiàn)的頻率高于設(shè)計的頻率較高的共振頻率時，增大電感L_p④；當(dāng)?shù)诙€吸聲峰值出現(xiàn)的頻率低于設(shè)計的頻率較高的共振頻率時，減小電感L_p④。

5.如權(quán)利要求2所述設(shè)計方法中微調(diào)兩個吸聲峰值頻率的方法，其特征在于，先根據(jù)權(quán)利要求3所述方法調(diào)整電容C_p③，同時改變兩個吸聲峰值出現(xiàn)的頻率；再根據(jù)權(quán)利要求4所述方法調(diào)整電感L_p④，改變第二個吸聲峰值出現(xiàn)的頻率并對第一個吸聲峰值頻率做微調(diào)。