[發明專利]混合特征蝕刻和倒角蝕刻的系統

有效

• 申請號: 201410335866.8
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104299889B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 安德列亞斯·費希爾;約翰·霍蘭
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種具有用于使用等離子體處理襯底的至少等離子體處理室的等離子體處理系統，所述襯底具有至少中心區域和倒角邊緣區域，所述等離子體處理系統包括：

被配置用于在所述處理的過程中支撐所述襯底的下電極；

上電極；

位于所述上電極和所述下電極中的至少一者的外周之外的至少一個等離子體禁區(PEZ)環，其中所述等離子體禁區環能夠沿著與所述室的室中心軸平行的方向豎直移動；以及

用于在至少第一處理狀態和第二處理狀態下操作所述等離子體處理系統的控制邏輯塊，所述控制邏輯塊使所述等離子體在所述第一處理狀態期間存在于所述襯底的所述中心區域上方以在所述第一處理狀態期間至少執行所述中心區域的等離子體處理，所述控制邏輯塊使所述等離子體在所述第二處理狀態期間不存在于所述襯底的所述中心區域上方但存在于所述倒角邊緣區域附近以在所述第二處理狀態期間至少執行所述倒角邊緣區域的等離子體處理，所述控制邏輯塊進一步使所述上電極在所述第二處理狀態期間處于RF浮動狀態，其中所述襯底在所述第一處理狀態和所述第二處理狀態二者期間被置于所述下電極的表面上。

2.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述等離子體禁區環被設置在所述上電極的所述外周之外，所述等離子體禁區環能夠獨立于所述上電極沿著與所述室的所述室中心軸平行的所述方向移動。

3.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述上電極在所述第一處理狀態期間處于RF供電狀態。

4.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述上電極在所述第一處理狀態期間處于RF接地狀態。

5.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述第一處理狀態表示沉積工藝步驟。

6.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述第一處理狀態表示特征蝕刻工藝步驟。

7.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述上電極的下表面和所述襯底之間的間隙在所述第一處理狀態期間介于1cm和20cm之間，所述間隙在所述第二處理狀態期間小于1mm。

8.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述上電極能夠沿著與所述室的室中心軸平行的方向移動。

9.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述控制邏輯塊包括RF開關以在所述上電極的狀態在所述第一處理狀態期間不是所述RF浮動狀態時將所述上電極的所述狀態切換到所述第二處理狀態期間的所述RF浮動狀態。

10.如權利要求1所述的等離子體處理系統，其中所述控制邏輯塊包括RF開關，所述控制邏輯塊使所述上電極沿著與所述室的室中心軸平行的方向移動從而使所述第二處理狀態期間在所述上電極的下表面和所述襯底的上表面之間的間隙窄于所述第一處理狀態期間存在的在所述上電極的所述下表面和所述襯底的所述上表面之間的間隙，所述控制邏輯塊進一步在所述上電極的狀態在所述第一處理狀態期間不是所述RF浮動狀態時將所述上電極的所述狀態切換到所述第二處理狀態期間的所述RF浮動狀態。

11.一種具有用于使用等離子體處理襯底的至少等離子體處理室的等離子體處理系統，所述襯底具有至少中心區域和倒角邊緣區域，所述等離子體處理系統包括：

被配置用于在所述處理的過程中支撐所述襯底的下電極；

上電極；以及

用于在至少第一處理狀態和第二處理狀態下操作所述等離子體處理系統的控制邏輯塊，所述控制邏輯塊使所述上電極沿著與所述室的室中心軸平行的方向移動從而使所述上電極的下表面和所述襯底的上表面之間的間隙在所述第二處理狀態期間窄于在所述第一處理狀態期間存在的在所述上電極的所述下表面和所述襯底的所述上表面之間的間隙，所述控制邏輯塊進一步在所述上電極的狀態在所述第一處理狀態期間不是RF浮動狀態時將所述上電極的所述狀態切換到所述第二處理狀態期間的所述RF浮動狀態，其中所述襯底在所述第一處理狀態和所述第二處理狀態二者期間被置于所述下電極的表面上。