[發明專利]一種非晶氧化物半導體薄膜及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201410335665.8
• 申請日: 2014-07-15
• 公開（公告）號: CN104078513A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 呂建國;孫汝杰;江慶軍;閆偉超;馮麗莎;葉志鎮
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/26;H01L21/02;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙) 33231
• 代理人: 張宇娟

1.一種非晶氧化物半導體薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物半導體薄膜化學式為Ti_xZnSnO_2x+3，其中0.02≤x≤0.06，所述非晶氧化物半導體薄膜的物理特性如下：

室溫生長及400℃條件下退火后均保持非晶相；

可見光透過率大于85%。

2.權利要求1所述非晶氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）以純度不低于99.99%的TiO₂、ZnO、SnO₂氧化物粉末為原料，按照原子比Ti：Zn：Sn=?x：1：1比例混合，經過球磨、干燥、成型、燒結，制成陶瓷靶材，其中0.02≤x≤0.06；

2）利用射頻磁控濺射方法，使用步驟1）制備的靶材，在清洗干凈的襯底上及室溫條件下沉積薄膜，生長條件如下：真空抽至壓強低于2×10^-3Pa，通入高純Ar氣，調節腔體壓強至1.0-5.0Pa，射頻源功率調至100-200W，薄膜生長時間10-20min；

3）步驟2）制備的非晶氧化物半導體薄膜，空氣氣氛中300-400℃條件下退火，保溫時間30-60min。

3.按權利要求2所述一種非晶氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于步驟2）所述襯底可以為硅片、氧化硅片、藍寶石、石英、玻璃、苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或聚酰亞胺。

4.權利要求1所述一種非晶氧化物半導體薄膜作為溝道層在薄膜晶體管中的應用。